晶體管

型號	描述	庫存
KSC2690AOSTSTU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 160V 1.2A TO-126 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.2A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 200mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 300mA, 5V 功率-最大: 1.2W 頻率-過渡: 155MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3 供應商設備包裝: TO-126-3	庫存7,560
KSC2690AYS ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 160V 1.2A TO-126 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.2A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 200mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 35 @ 5mA, 5V 功率-最大: 1.2W 頻率-過渡: 155MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3 供應商設備包裝: TO-126-3	庫存51,396
KSC2690AYSTSTU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 160V 1.2A TO-126 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.2A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 200mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 300mA, 5V 功率-最大: 1.2W 頻率-過渡: 155MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3 供應商設備包裝: TO-126-3	庫存3,978
KSC2690AYSTU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 160V 1.2A TO-126 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.2A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 200mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 300mA, 5V 功率-最大: 1.2W 頻率-過渡: 155MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3 供應商設備包裝: TO-126-3	庫存24,348
KSC2690YSTU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 120V 1.2A TO-126 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.2A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 200mA, 1A 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 300mA, 5V 功率-最大: 1.2W 頻率-過渡: 155MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3 供應商設備包裝: TO-126-3	庫存8,406
KSC2710GBU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 20V 0.5A TO-92S 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 100mA, 1V 功率-最大: 300mW 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body 供應商設備包裝: TO-92S	庫存4,824
KSC2710GTA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 20V 0.5A TO-92S 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 100mA, 1V 功率-最大: 300mW 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body 供應商設備包裝: TO-92S	庫存2,826
KSC2710YBU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 20V 0.5A TO-92S 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 100mA, 1V 功率-最大: 300mW 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body 供應商設備包裝: TO-92S	庫存6,498
KSC2710YTA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 20V 0.5A TO-92S 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 100mA, 1V 功率-最大: 300mW 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body 供應商設備包裝: TO-92S	庫存7,110
KSC2715OMTF ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 30V 0.05A SOT-23 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 2mA, 12V 功率-最大: 150mW 頻率-過渡: 400MHz 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3	庫存2,394
KSC2715YMTF ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 30V 0.05A SOT-23 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 2mA, 12V 功率-最大: 150mW 頻率-過渡: 400MHz 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3	庫存2,124
KSC2751RTU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 400V 15A TO-3P 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 2A, 10A 當前-集電極截止（最大值）: 100µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 2A, 5V 功率-最大: 120W 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3 供應商設備包裝: TO-3P	庫存4,446
KSC2752OS ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 400V 0.5A TO-126 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 60mA, 300mA 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 50mA, 5V 功率-最大: 1W 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3 供應商設備包裝: TO-126-3	庫存6,750
KSC2752OSTU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 400V 0.5A TO-126 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 60mA, 300mA 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 50mA, 5V 功率-最大: 1W 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3 供應商設備包裝: TO-126-3	庫存7,500
KSC2784FBU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 120V 0.05A TO-92S 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 1mA, 6V 功率-最大: 300mW 頻率-過渡: 110MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body 供應商設備包裝: TO-92S	庫存2,772
KSC2784FTA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 120V 0.05A TO-92S 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 1mA, 6V 功率-最大: 300mW 頻率-過渡: 110MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body 供應商設備包裝: TO-92S	庫存6,660
KSC2784PBU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 120V 0.05A TO-92S 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 1mA, 6V 功率-最大: 300mW 頻率-過渡: 110MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body 供應商設備包裝: TO-92S	庫存6,012
KSC2785GBU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 50V 0.15A TO-92S 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 10mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 1mA, 6V 功率-最大: 250mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body 供應商設備包裝: TO-92S	庫存7,596
KSC2785GTA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 50V 0.15A TO-92S 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 10mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 1mA, 6V 功率-最大: 250mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body 供應商設備包裝: TO-92S	庫存3,240
KSC2785LTA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 50V 0.15A TO-92S 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 10mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 350 @ 1mA, 6V 功率-最大: 250mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body 供應商設備包裝: TO-92S	庫存5,418
KSC2785OBU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 50V 0.15A TO-92S 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 10mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 1mA, 6V 功率-最大: 250mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body 供應商設備包裝: TO-92S	庫存8,010
KSC2785OTA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 50V 0.15A TO-92S 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 10mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 1mA, 6V 功率-最大: 250mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body 供應商設備包裝: TO-92S	庫存4,014
KSC2785YBU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 50V 0.15A TO-92S 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 10mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 6V 功率-最大: 250mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body 供應商設備包裝: TO-92S	庫存4,302
KSC2785YTA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 50V 0.15A TO-92S 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 10mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 6V 功率-最大: 250mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body 供應商設備包裝: TO-92S	庫存5,904
KSC2787OBU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 30V 0.05A TO-92S 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 1mA, 6V 功率-最大: 250mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body 供應商設備包裝: TO-92S	庫存2,322
KSC2787OTA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 30V 0.05A TO-92S 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 1mA, 6V 功率-最大: 250mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body 供應商設備包裝: TO-92S	庫存2,538
KSC2787RBU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 30V 0.05A TO-92S 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 1mA, 6V 功率-最大: 250mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body 供應商設備包裝: TO-92S	庫存6,390
KSC2787RTA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 30V 0.05A TO-92S 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 1mA, 6V 功率-最大: 250mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body 供應商設備包裝: TO-92S	庫存6,804
KSC2787YBU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 30V 0.05A TO-92S 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 6V 功率-最大: 250mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body 供應商設備包裝: TO-92S	庫存2,100
KSC2787YTA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 30V 0.05A TO-92S 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 6V 功率-最大: 250mW 頻率-過渡: 300MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body 供應商設備包裝: TO-92S	庫存3,744

KSC2690AOSTSTU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 160V 1.2A TO-126

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.2A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 200mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 300mA, 5V
功率-最大: 1.2W
頻率-過渡: 155MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝: TO-126-3

庫存7,560

KSC2690AYS

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 160V 1.2A TO-126

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.2A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 200mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 35 @ 5mA, 5V
功率-最大: 1.2W
頻率-過渡: 155MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝: TO-126-3

庫存51,396

KSC2690AYSTSTU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 160V 1.2A TO-126

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.2A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 200mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 300mA, 5V
功率-最大: 1.2W
頻率-過渡: 155MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝: TO-126-3

庫存3,978

KSC2690AYSTU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 160V 1.2A TO-126

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.2A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 160V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 200mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 300mA, 5V
功率-最大: 1.2W
頻率-過渡: 155MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝: TO-126-3

庫存24,348

KSC2690YSTU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 120V 1.2A TO-126

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.2A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 700mV @ 200mA, 1A
當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 300mA, 5V
功率-最大: 1.2W
頻率-過渡: 155MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝: TO-126-3

庫存8,406

KSC2710GBU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 20V 0.5A TO-92S

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 100mA, 1V
功率-最大: 300mW
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
供應商設備包裝: TO-92S

庫存4,824

KSC2710GTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 20V 0.5A TO-92S

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 100mA, 1V
功率-最大: 300mW
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
供應商設備包裝: TO-92S

庫存2,826

KSC2710YBU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 20V 0.5A TO-92S

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 100mA, 1V
功率-最大: 300mW
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
供應商設備包裝: TO-92S

庫存6,498

KSC2710YTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 20V 0.5A TO-92S

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 100mA, 1V
功率-最大: 300mW
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
供應商設備包裝: TO-92S

庫存7,110

KSC2715OMTF

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.05A SOT-23

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 2mA, 12V
功率-最大: 150mW
頻率-過渡: 400MHz
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3

庫存2,394

KSC2715YMTF

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.05A SOT-23

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 2mA, 12V
功率-最大: 150mW
頻率-過渡: 400MHz
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3

庫存2,124

KSC2751RTU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 400V 15A TO-3P

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 2A, 10A
當前-集電極截止（最大值）: 100µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 2A, 5V
功率-最大: 120W
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
供應商設備包裝: TO-3P

庫存4,446

KSC2752OS

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 400V 0.5A TO-126

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 60mA, 300mA
當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 50mA, 5V
功率-最大: 1W
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝: TO-126-3

庫存6,750

KSC2752OSTU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 400V 0.5A TO-126

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 60mA, 300mA
當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 50mA, 5V
功率-最大: 1W
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝: TO-126-3

庫存7,500

KSC2784FBU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 120V 0.05A TO-92S

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 1mA, 6V
功率-最大: 300mW
頻率-過渡: 110MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
供應商設備包裝: TO-92S

庫存2,772

KSC2784FTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 120V 0.05A TO-92S

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 1mA, 6V
功率-最大: 300mW
頻率-過渡: 110MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
供應商設備包裝: TO-92S

庫存6,660

KSC2784PBU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 120V 0.05A TO-92S

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 1mA, 6V
功率-最大: 300mW
頻率-過渡: 110MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
供應商設備包裝: TO-92S

庫存6,012

KSC2785GBU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 0.15A TO-92S

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 1mA, 6V
功率-最大: 250mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
供應商設備包裝: TO-92S

庫存7,596

KSC2785GTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 0.15A TO-92S

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 1mA, 6V
功率-最大: 250mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
供應商設備包裝: TO-92S

庫存3,240

KSC2785LTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 0.15A TO-92S

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 350 @ 1mA, 6V
功率-最大: 250mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
供應商設備包裝: TO-92S

庫存5,418

KSC2785OBU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 0.15A TO-92S

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 1mA, 6V
功率-最大: 250mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
供應商設備包裝: TO-92S

庫存8,010

KSC2785OTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 0.15A TO-92S

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 1mA, 6V
功率-最大: 250mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
供應商設備包裝: TO-92S

庫存4,014

KSC2785YBU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 0.15A TO-92S

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 6V
功率-最大: 250mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
供應商設備包裝: TO-92S

庫存4,302

KSC2785YTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 50V 0.15A TO-92S

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 6V
功率-最大: 250mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
供應商設備包裝: TO-92S

庫存5,904

KSC2787OBU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.05A TO-92S

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 1mA, 6V
功率-最大: 250mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
供應商設備包裝: TO-92S

庫存2,322

KSC2787OTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.05A TO-92S

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 1mA, 6V
功率-最大: 250mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
供應商設備包裝: TO-92S

庫存2,538

KSC2787RBU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.05A TO-92S

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 1mA, 6V
功率-最大: 250mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
供應商設備包裝: TO-92S

庫存6,390

KSC2787RTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.05A TO-92S

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 1mA, 6V
功率-最大: 250mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
供應商設備包裝: TO-92S

庫存6,804

KSC2787YBU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.05A TO-92S

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 6V
功率-最大: 250mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
供應商設備包裝: TO-92S

庫存2,100

KSC2787YTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.05A TO-92S

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 6V
功率-最大: 250mW
頻率-過渡: 300MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
供應商設備包裝: TO-92S

庫存3,744

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