晶體管

型號	描述	庫存
KSP25BU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN DARL 40V 0.5A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10000 @ 100mA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存4,194
KSP25TA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN DARL 40V 0.5A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10000 @ 100mA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存3,834
KSP26BU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN DARL 50V 0.5A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10000 @ 100mA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存6,552
KSP26TA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN DARL 50V 0.5A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10000 @ 100mA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存4,284
KSP27BU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN DARL 60V 0.5A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10000 @ 100mA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存7,596
KSP27TA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN DARL 60V 0.5A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10000 @ 100mA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存8,604
KSP2907ABU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 60V 0.6A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 10nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 200MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存44,736
KSP2907ACBU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 60V 0.6A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 10nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 200MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存5,022
KSP2907ACTA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 60V 0.6A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 10nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 200MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存43,350
KSP2907ATA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 60V 0.6A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 10nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 200MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存245,022
KSP2907ATF ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 60V 0.6A TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值）: 10nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 200MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存6,480
KSP42BU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 300V 0.5A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 2mA, 20mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 30mA, 10V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 50MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存29,916
KSP42TA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 300V 0.5A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 2mA, 20mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 30mA, 10V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 50MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存29,082
KSP43BU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 200V 0.5A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 200V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 2mA, 20mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 30mA, 10V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 50MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存87,822
KSP43TA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 200V 0.5A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 200V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 2mA, 20mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 30mA, 10V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 50MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存8,280
KSP44BU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 400V 0.3A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 300mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 750mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 10V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存35,790
KSP44TA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 400V 0.3A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 300mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 750mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 10V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存8,172
KSP44TF ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 400V 0.3A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 300mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 750mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 10V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存17,604
KSP45BU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 350V 0.3A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 300mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 350V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 750mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 10V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存2,916
KSP45TA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 350V 0.3A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 300mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 350V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 750mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 10V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存5,976
KSP45TF ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 350V 0.3A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 300mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 350V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 750mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 10V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存4,446
KSP5179TA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS NPN 12V 0.05A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 20nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 3mA, 1V 功率-最大: 200mW 頻率-過渡: 2GHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存4,140
KSP55TA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 60V 0.5A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 100mA, 1V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 50MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存90,480
KSP56BU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 80V 0.5A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 100mA, 1V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 50MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存8,370
KSP56TA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 80V 0.5A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 100mA, 1V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 50MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存4,734
KSP56TF ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP 80V 0.5A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 100mA, 1V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 50MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存2,412
KSP62BU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP DARL 20V 0.5A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 10µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20000 @ 10mA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 125MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存4,392
KSP62TA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP DARL 20V 0.5A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 10µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20000 @ 10mA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 125MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存2,016
KSP62TF ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP DARL 20V 0.5A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 10µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20000 @ 10mA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 125MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存4,644
KSP63BU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單 TRANS PNP DARL 30V 0.5A TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10000 @ 100mA, 5V 功率-最大: 625mW 頻率-過渡: 125MHz 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存5,436

KSP25BU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 40V 0.5A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10000 @ 100mA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存4,194

KSP25TA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 40V 0.5A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10000 @ 100mA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存3,834

KSP26BU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 50V 0.5A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10000 @ 100mA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存6,552

KSP26TA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 50V 0.5A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10000 @ 100mA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存4,284

KSP27BU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 60V 0.5A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10000 @ 100mA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存7,596

KSP27TA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 60V 0.5A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10000 @ 100mA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存8,604

KSP2907ABU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 0.6A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 10nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 200MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存44,736

KSP2907ACBU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 0.6A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 10nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 200MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存5,022

KSP2907ACTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 0.6A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 10nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 200MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存43,350

KSP2907ATA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 0.6A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 10nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 200MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存245,022

KSP2907ATF

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 0.6A TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止（最大值）: 10nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 200MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存6,480

KSP42BU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 300V 0.5A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 30mA, 10V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 50MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存29,916

KSP42TA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 300V 0.5A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 30mA, 10V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 50MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存29,082

KSP43BU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 200V 0.5A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 200V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 30mA, 10V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 50MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存87,822

KSP43TA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 200V 0.5A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 200V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 30mA, 10V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 50MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存8,280

KSP44BU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 400V 0.3A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 300mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 750mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 10V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存35,790

KSP44TA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 400V 0.3A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 300mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 750mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 10V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存8,172

KSP44TF

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 400V 0.3A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 300mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 750mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 10V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存17,604

KSP45BU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 350V 0.3A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 300mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 350V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 750mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 10V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存2,916

KSP45TA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 350V 0.3A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 300mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 350V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 750mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 10V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存5,976

KSP45TF

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 350V 0.3A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 300mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 350V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 750mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 10V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存4,446

KSP5179TA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 12V 0.05A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 20nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 3mA, 1V
功率-最大: 200mW
頻率-過渡: 2GHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存4,140

KSP55TA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 0.5A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 100mA, 1V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 50MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存90,480

KSP56BU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 80V 0.5A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 100mA, 1V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 50MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存8,370

KSP56TA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 80V 0.5A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 100mA, 1V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 50MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存4,734

KSP56TF

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 80V 0.5A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 100mA, 1V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 50MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存2,412

KSP62BU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP DARL 20V 0.5A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 10µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20000 @ 10mA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 125MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存4,392

KSP62TA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP DARL 20V 0.5A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 10µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20000 @ 10mA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 125MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存2,016

KSP62TF

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP DARL 20V 0.5A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 10µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20000 @ 10mA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 125MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存4,644

KSP63BU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP DARL 30V 0.5A TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Darlington
當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10000 @ 100mA, 5V
功率-最大: 625mW
頻率-過渡: 125MHz
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存5,436

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