晶體管

MJL4302A

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 350V 15A TO264

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 350V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 800mA, 8A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5A, 5V
• 功率-最大: 230W
• 頻率-過渡: 35MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA
• 供應商設備包裝: TO-264

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MJL4302AG

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 350V 15A TO264

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 350V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 800mA, 8A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5A, 5V
• 功率-最大: 230W
• 頻率-過渡: 35MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA
• 供應商設備包裝: TO-264

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MJW0281A

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 260V 15A TO-247

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 260V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 500mA, 5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 75 @ 3A, 5V
• 功率-最大: 150W
• 頻率-過渡: 30MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247

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MJW0281AG

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 260V 15A TO-247

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 260V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 500mA, 5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 75 @ 3A, 5V
• 功率-最大: 150W
• 頻率-過渡: 30MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247

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MJW0302A

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 260V 15A TO-247

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 260V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 500mA, 5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 75 @ 3A, 5V
• 功率-最大: 150W
• 頻率-過渡: 30MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247

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MJW0302AG

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 260V 15A TO-247

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 260V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 500mA, 5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 75 @ 3A, 5V
• 功率-最大: 150W
• 頻率-過渡: 30MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247

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MJW1302A

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 230V 15A TO247

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 230V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 1A, 10A
• 當前-集電極截止（最大值）: 50µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 7A, 5V
• 功率-最大: 200W
• 頻率-過渡: 30MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247

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MJW1302AG

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 230V 15A TO247

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 230V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 1A, 10A
• 當前-集電極截止（最大值）: 50µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 7A, 5V
• 功率-最大: 200W
• 頻率-過渡: 30MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247

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MJW18020G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 450V 30A TO-247

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 450V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 4A, 20A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 14 @ 3A, 5V
• 功率-最大: 250W
• 頻率-過渡: 13MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247

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MJW21191

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 150V 8A TO-247

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 150V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 1.6A, 8A
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 15 @ 4A, 2V
• 功率-最大: 125W
• 頻率-過渡: 4MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247

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MJW21191G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 150V 8A TO-247

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 150V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 1.6A, 8A
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 15 @ 4A, 2V
• 功率-最大: 125W
• 頻率-過渡: 4MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247

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MJW21192

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 150V 8A TO-247

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 150V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 1.6A, 8A
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 15 @ 4A, 2V
• 功率-最大: 125W
• 頻率-過渡: 4MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247

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MJW21192G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 150V 8A TO-247

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 150V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 1.6A, 8A
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 15 @ 4A, 2V
• 功率-最大: 125W
• 頻率-過渡: 4MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247

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MJW21193

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 250V 16A TO247

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 16A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 250V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 4V @ 3.2A, 16A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 8A, 5V
• 功率-最大: 200W
• 頻率-過渡: 4MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247

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MJW21193G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 250V 16A TO247

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 16A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 250V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 4V @ 3.2A, 16A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 8A, 5V
• 功率-最大: 200W
• 頻率-過渡: 4MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247

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MJW21194

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 250V 16A TO247

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 16A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 250V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 4V @ 3.2A, 16A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 8A, 5V
• 功率-最大: 200W
• 頻率-過渡: 4MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247

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MJW21194G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 250V 16A TO247

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 16A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 250V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 4V @ 3.2A, 16A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 8A, 5V
• 功率-最大: 200W
• 頻率-過渡: 4MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247

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MJW21195

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 250V 16A TO247

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 16A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 250V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 3.2A, 16A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 8A, 5V
• 功率-最大: 200W
• 頻率-過渡: 4MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247

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MJW21195G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 250V 16A TO247

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 16A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 250V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 3.2A, 16A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 8A, 5V
• 功率-最大: 200W
• 頻率-過渡: 4MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247

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MJW21196

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 250V 16A TO247

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 16A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 250V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 3.2A, 16A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 8A, 5V
• 功率-最大: 200W
• 頻率-過渡: 4MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247

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MJW21196G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 250V 16A TO247

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 16A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 250V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 3.2A, 16A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 8A, 5V
• 功率-最大: 200W
• 頻率-過渡: 4MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247

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MJW3281A

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 230V 15A TO247

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 230V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 1A, 10A
• 當前-集電極截止（最大值）: 50µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 7A, 5V
• 功率-最大: 200W
• 頻率-過渡: 30MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247

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MJW3281AG

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 230V 15A TO247

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 230V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 1A, 10A
• 當前-集電極截止（最大值）: 50µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 7A, 5V
• 功率-最大: 200W
• 頻率-過渡: 30MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247

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MMBT100

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 45V 0.5A SOT-23

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 20mA, 200mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 5V
• 功率-最大: 350mW
• 頻率-過渡: 250MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3

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MMBT100A

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 45V 0.5A SOT-23

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 20mA, 200mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 10mA, 1V
• 功率-最大: 350mW
• 頻率-過渡: 250MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3

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MMBT100A

MICROSS/On Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

DIE TRANS NPN 45V GENERAL PURP

• 制造商: MICROSS/On Semiconductor
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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MMBT123S-7

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 18V 1A SOT23-3

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 18V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 30mA, 300mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 150 @ 100mA, 1V
• 功率-最大: 300mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3

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MMBT123S-7-F

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 18V 1A SOT23-3

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 18V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 30mA, 300mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 150 @ 100mA, 1V
• 功率-最大: 300mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3

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MMBT200

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 45V 0.5A SOT-23

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 20mA, 200mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 5V
• 功率-最大: 350mW
• 頻率-過渡: 250MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3

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MMBT200A

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 45V 0.5A SOT-23

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 20mA, 200mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 10mA, 1V
• 功率-最大: 350mW
• 頻率-過渡: 250MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23

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