晶體管

MMBT3906HLT1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 40V 0.2A SOT23

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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MMBT3906K

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 40V 0.2A SOT23

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 1V
• 功率-最大: 350mW
• 頻率-過渡: 250MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3

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MMBT3906LP-7

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 40V 0.2A 3DFN

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 1V
• 功率-最大: 250mW
• 頻率-過渡: 300MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 3-XFDFN
• 供應商設備包裝: 3-DFN1006 (1.0x0.6)

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MMBT3906LP-7B

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 40V 0.2A DFN1006-3

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 1V
• 功率-最大: 250mW
• 頻率-過渡: 300MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 3-UFDFN
• 供應商設備包裝: 3-DFN1006 (1.0x0.6)

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MMBT3906L RFG

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANSISTOR, PNP, -40V, -0.2A, 10

• 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 1V
• 功率-最大: 350mW
• 頻率-過渡: 250MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23

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MMBT3906LT1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 40V 0.2A SOT23

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 1V
• 功率-最大: 300mW
• 頻率-過渡: 250MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

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MMBT3906LT1H

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 40V 200MA BIPO SOT23-3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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MMBT3906LT1HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 40V 0.2A SOT-23

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 1V
• 功率-最大: 330mW
• 頻率-過渡: 250MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3

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MMBT3906LT3G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 40V 0.2A SOT-23

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 1V
• 功率-最大: 300mW
• 頻率-過渡: 250MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

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MMBT3906_NL

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 40V 0.2A SOT-23

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 1V
• 功率-最大: 350mW
• 頻率-過渡: 250MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3

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MMBT3906 RFG

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANSISTOR, PNP, -40V, -0.2A, 10

• 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 1V
• 功率-最大: 350mW
• 頻率-過渡: 250MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23

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MMBT3906SL

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 40V 0.2A SOT-923F

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 1V
• 功率-最大: 227mW
• 頻率-過渡: 250MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-923F
• 供應商設備包裝: SOT-923F

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MMBT3906T

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 40V 0.2A SOT-523F

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 1V
• 功率-最大: 250mW
• 頻率-過渡: 250MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-89, SOT-490
• 供應商設備包裝: SOT-523F

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MMBT3906T-13

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 40V 200MA SOT-523

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 1V
• 功率-最大: 150mW
• 頻率-過渡: 250MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-523
• 供應商設備包裝: SOT-523

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MMBT3906T-7

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 40V 0.2A SOT-523

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 1V
• 功率-最大: 150mW
• 頻率-過渡: 250MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-523
• 供應商設備包裝: SOT-523

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MMBT3906T-7-F

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 40V 0.2A SOT523

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 1V
• 功率-最大: 150mW
• 頻率-過渡: 250MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-523
• 供應商設備包裝: SOT-523

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MMBT3906-TP

Micro Commercial Co

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 40V 0.2A SOT23

• 制造商: Micro Commercial Co
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 1V
• 功率-最大: 300mW
• 頻率-過渡: 250MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23

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MMBT3906TT1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 40V 0.2A SC75-3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 1V
• 功率-最大: 200mW
• 頻率-過渡: 250MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-75, SOT-416
• 供應商設備包裝: SC-75, SOT-416

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MMBT3906T-TP

Micro Commercial Co

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 40V 0.2A SOT-523

• 制造商: Micro Commercial Co
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 1V
• 功率-最大: 150mW
• 頻率-過渡: 250MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-523
• 供應商設備包裝: SOT-523

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MMBT3906VL

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單

MMBT3906/SOT23/TO-236AB

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 1V
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: 250MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: TO-236AB

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MMBT3906WT1

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 40V 0.2A SOT323

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 1V
• 功率-最大: 150mW
• 頻率-過渡: 250MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-70, SOT-323
• 供應商設備包裝: SC-70-3 (SOT323)

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MMBT3906WT1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 40V 0.2A SOT323

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 1V
• 功率-最大: 150mW
• 頻率-過渡: 250MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-70, SOT-323
• 供應商設備包裝: SC-70-3 (SOT323)

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MMBT4124

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 25V 0.2A SOT23

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 2mA, 1V
• 功率-最大: 350mW
• 頻率-過渡: 300MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3

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MMBT4124-7

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 25V 0.2A SMD SOT23-3

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 2mA, 1V
• 功率-最大: 300mW
• 頻率-過渡: 300MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3

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MMBT4124-7-F

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 25V 0.2A SMD SOT23-3

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 2mA, 1V
• 功率-最大: 300mW
• 頻率-過渡: 300MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3

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MMBT4124LT1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 25V 0.2A SOT23-3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 2mA, 1V
• 功率-最大: 225mW
• 頻率-過渡: 300MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

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MMBT4126

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 25V 0.2A SOT-23

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 2mA, 1V
• 功率-最大: 350mW
• 頻率-過渡: 250MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3

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MMBT4126-7

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 25V 0.2A SOT23-3

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 2mA, 1V
• 功率-最大: 300mW
• 頻率-過渡: 250MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3

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MMBT4126-7-F

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 25V 0.2A SMD SOT23-3

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 2mA, 1V
• 功率-最大: 300mW
• 頻率-過渡: 250MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3

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MMBT4126LT1

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 25V 0.2A SOT23

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 2mA, 1V
• 功率-最大: 225mW
• 頻率-過渡: 250MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

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