晶體管

MPSA92RA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 300V 0.5A TO-92

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 250nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 30mA, 10V
• 功率-最大: 625mW
• 頻率-過渡: 50MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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MPSA92RL1

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 300V 0.5A TO-92

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 250nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 30mA, 10V
• 功率-最大: 625mW
• 頻率-過渡: 50MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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MPSA92RL1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 300V 0.5A TO-92

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 250nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 30mA, 10V
• 功率-最大: 625mW
• 頻率-過渡: 50MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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MPSA92RLRA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 300V 0.5A TO92

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 250nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 30mA, 10V
• 功率-最大: 625mW
• 頻率-過渡: 50MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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MPSA92RLRAG

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 300V 0.5A TO92

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 250nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 30mA, 10V
• 功率-最大: 625mW
• 頻率-過渡: 50MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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MPSA92RLRMG

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 300V 0.5A TO-92

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 250nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 30mA, 10V
• 功率-最大: 625mW
• 頻率-過渡: 50MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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MPSA92RLRP

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 300V 0.5A TO-92

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 250nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 30mA, 10V
• 功率-最大: 625mW
• 頻率-過渡: 50MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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MPSA92RLRPG

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 300V 0.5A TO-92

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 250nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 30mA, 10V
• 功率-最大: 625mW
• 頻率-過渡: 50MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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MPSA92ZL1

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 300V 0.5A TO-92

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 250nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 30mA, 10V
• 功率-最大: 625mW
• 頻率-過渡: 50MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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MPSA92ZL1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 300V 0.5A TO-92

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 250nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 30mA, 10V
• 功率-最大: 625mW
• 頻率-過渡: 50MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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MPSA93

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 200V 0.5A TO92

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 200V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 2mA, 20mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 250nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 30mA, 10V
• 功率-最大: 625mW
• 頻率-過渡: 50MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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MPSA93_D26Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 200V 0.5A TO-92

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 200V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 2mA, 20mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 250nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 30mA, 10V
• 功率-最大: 625mW
• 頻率-過渡: 50MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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MPSA93_D27Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 200V 0.5A TO-92

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 200V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 2mA, 20mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 250nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 30mA, 10V
• 功率-最大: 625mW
• 頻率-過渡: 50MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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MPSA93_D74Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 200V 0.5A TO-92

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 200V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 2mA, 20mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 250nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 30mA, 10V
• 功率-最大: 625mW
• 頻率-過渡: 50MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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MPSA93G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 200V 0.5A TO92

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 200V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 2mA, 20mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 250nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 30mA, 10V
• 功率-最大: 625mW
• 頻率-過渡: 50MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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MPSA93RLRM

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 200V 0.5A TO-92

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 200V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 2mA, 20mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 250nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 30mA, 10V
• 功率-最大: 625mW
• 頻率-過渡: 50MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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MPSA93RLRMG

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 200V 0.5A TO-92

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 200V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 2mA, 20mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 250nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 30mA, 10V
• 功率-最大: 625mW
• 頻率-過渡: 50MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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MPSH24

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.05A TO-92

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 8mA, 10V
• 功率-最大: 625mW
• 頻率-過渡: 400MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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MPSH24_D26Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.05A TO-92

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 8mA, 10V
• 功率-最大: 625mW
• 頻率-過渡: 400MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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MPSH34

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 40V 0.05A TO-92

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 2mA, 7mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 15 @ 20mA, 2V
• 功率-最大: 625mW
• 頻率-過渡: 500MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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MPSH34_D26Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 40V 0.05A TO-92

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 2mA, 7mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 15 @ 20mA, 2V
• 功率-最大: 625mW
• 頻率-過渡: 500MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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MPSH34_D75Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 40V 0.05A TO-92

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 2mA, 7mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 15 @ 20mA, 2V
• 功率-最大: 625mW
• 頻率-過渡: 500MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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MPSHC10RGA

MICROSS/On Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

DIE TRANSISTOR SMALL SIGNAL

• 制造商: MICROSS/On Semiconductor
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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MPSL01

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 120V 0.2A TO-92

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V
• 功率-最大: 625mW
• 頻率-過渡: 60MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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MPSL01_D26Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 120V 0.2A TO-92

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V
• 功率-最大: 625mW
• 頻率-過渡: 60MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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MPSL01_D27Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 120V 0.2A TO-92

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V
• 功率-最大: 625mW
• 頻率-過渡: 60MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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MPSL51

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 100V 0.2A TO-92

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 50mA, 5V
• 功率-最大: 625mW
• 頻率-過渡: 60MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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MPSL51_D26Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 100V 0.2A TO-92

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 50mA, 5V
• 功率-最大: 625mW
• 頻率-過渡: 60MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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MPSL51_D27Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 100V 0.2A TO-92

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 50mA, 5V
• 功率-最大: 625mW
• 頻率-過渡: 60MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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MPSL51_D75Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 100V 0.2A TO-92

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 50mA, 5V
• 功率-最大: 625mW
• 頻率-過渡: 60MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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