晶體管

NJD35N04T4G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 350V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 20mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 50µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 2000 @ 2A, 2V
• 功率-最大: 45W
• 頻率-過渡: 90MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: DPAK

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NJL0281DG

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 260V 15A TO-264

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 260V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 500mA, 5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 75 @ 3A, 5V
• 功率-最大: 180W
• 頻率-過渡: 30MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-264-5
• 供應商設備包裝: TO-264

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NJL0302DG

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 260V 15A TO264

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 260V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 500mA, 5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 75 @ 3A, 5V
• 功率-最大: 180W
• 頻率-過渡: 30MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-264-5
• 供應商設備包裝: TO-264

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NJL1302D

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 260V 15A TO-264

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 260V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 1A, 10A
• 當前-集電極截止（最大值）: 50µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 75 @ 5A, 5V
• 功率-最大: 200W
• 頻率-過渡: 30MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-264-5
• 供應商設備包裝: TO-264

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NJL1302DG

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 260V 15A TO-264

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP + Diode (Isolated)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 260V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 1A, 10A
• 當前-集電極截止（最大值）: 50µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 75 @ 5A, 5V
• 功率-最大: 200W
• 頻率-過渡: 30MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-264-5
• 供應商設備包裝: TO-264

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NJL21193DG

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 250V 16A TO-264

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 16A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 250V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 4V @ 3.2A, 16A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 8A, 5V
• 功率-最大: 200W
• 頻率-過渡: 4MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-264-5
• 供應商設備包裝: TO-264

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NJL21194DG

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 250V 16A TO-264

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 16A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 250V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 4V @ 3.2A, 16A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 8A, 5V
• 功率-最大: 200W
• 頻率-過渡: 4MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-264-5
• 供應商設備包裝: TO-264

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NJL3281D

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 260V 15A TO-264

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 260V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 1A, 10A
• 當前-集電極截止（最大值）: 50µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 75 @ 5A, 5V
• 功率-最大: 200W
• 頻率-過渡: 30MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-264-5
• 供應商設備包裝: TO-264

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NJL3281DG

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 260V 15A TO-264

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 260V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 1A, 10A
• 當前-集電極截止（最大值）: 50µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 75 @ 5A, 5V
• 功率-最大: 200W
• 頻率-過渡: 30MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-264-5
• 供應商設備包裝: TO-264

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NJL4281DG

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 350V 15A TO264

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN + Diode (Isolated)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 350V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 800mA, 8A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5A, 5V
• 功率-最大: 230W
• 頻率-過渡: 35MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-264-5
• 供應商設備包裝: TO-264

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NJL4302DG

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 350V 15A TO-264

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 350V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 800mA, 8A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5A, 5V
• 功率-最大: 230W
• 頻率-過渡: 35MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-264-5
• 供應商設備包裝: TO-264

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NJT4030PT1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 40V 3A SOT-223

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 300mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 1A, 1V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: 160MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA
• 供應商設備包裝: SOT-223

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NJT4030PT3G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 40V 3A SOT-223

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 300mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 1A, 1V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: 160MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA
• 供應商設備包裝: SOT-223

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NJT4031NT1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 40V 3A SOT223

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 300mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 1A, 1V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: 215MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA
• 供應商設備包裝: SOT-223

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NJT4031NT3G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 40V 3A SOT-223

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 300mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 1A, 1V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: 215MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA
• 供應商設備包裝: SOT-223

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NJV4030PT1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 40V 3A SOT223

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 300mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 1A, 1V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: 160MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA
• 供應商設備包裝: SOT-223 (TO-261)

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NJV4030PT3G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 40V 3A SOT223

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 300mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 1A, 1V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: 160MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA
• 供應商設備包裝: SOT-223 (TO-261)

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NJV4031NT1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 40V 3A SOT223

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 300mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 1A, 1V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: 215MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA
• 供應商設備包裝: SOT-223

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NJV4031NT3G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 40V 3A SOT223

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 300mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 1A, 1V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: 215MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA
• 供應商設備包裝: SOT-223

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NJVBDX53C

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 100V 8A TO-220AB

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 12mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 500µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 750 @ 3A, 3V
• 功率-最大: 65W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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NJVBUB323ZT4G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 350V 10A D2PAK

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 350V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.7V @ 250mA, 10A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 500 @ 5A, 4.6V
• 功率-最大: 150W
• 頻率-過渡: 2MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 供應商設備包裝: D2PAK-3

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NJVMJB41CT4G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 100V 6A D2PAK-3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
• 當前-集電極截止（最大值）: 700µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 15 @ 3A, 4V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: 3MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 供應商設備包裝: D2PAK-3

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NJVMJB42CT4G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 100V 6A D2PAK-3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 6A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
• 當前-集電極截止（最大值）: 700µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 15 @ 3A, 4V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: 3MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 供應商設備包裝: D2PAK

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NJVMJB44H11T4G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 80V 10A D2PAK-3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 400mA, 8A
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 4A, 1V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: 50MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 供應商設備包裝: D2PAK

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NJVMJB45H11T4G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 80V 10A D2PAK-3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 400mA, 8A
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 4A, 1V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: 40MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 供應商設備包裝: D2PAK

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NJVMJD112G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK-4

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 40mA, 4A
• 當前-集電極截止（最大值）: 20µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 2A, 3V
• 功率-最大: 1.75W
• 頻率-過渡: 25MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: DPAK

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NJVMJD112T4G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 40mA, 4A
• 當前-集電極截止（最大值）: 20µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 2A, 3V
• 功率-最大: 20W
• 頻率-過渡: 25MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: DPAK

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NJVMJD117T4G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK-4

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 40mA, 4A
• 當前-集電極截止（最大值）: 20µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 2A, 3V
• 功率-最大: 1.75W
• 頻率-過渡: 25MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: DPAK

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NJVMJD122T4G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 4V @ 80mA, 8A
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 4A, 4V
• 功率-最大: 1.75W
• 頻率-過渡: 4MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: DPAK

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NJVMJD122T4G-VF01

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 4V @ 8A, 80mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 4A, 4V
• 功率-最大: 1.75W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: DPAK

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