晶體管

TIP105

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 60V 8A TO220

• 制造商: Central Semiconductor Corp
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 80mA, 8A
• 當前-集電極截止（最大值）: 50µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 3A, 4V
• 功率-最大: 80W
• 頻率-過渡: 4MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220

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TIP105

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP DARL 60V 8A TO-220

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 80mA, 8A
• 當前-集電極截止（最大值）: 50µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 3A, 4V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220-3

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TIP105

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP DARL 60V 8A TO-220

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 80mA, 8A
• 當前-集電極截止（最大值）: 50µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 2000 @ 3A, 4V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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TIP105TU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP DARL 60V 8A TO-220

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 80mA, 8A
• 當前-集電極截止（最大值）: 50µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 3A, 4V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220-3

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TIP106

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 80V 8A TO220

• 制造商: Central Semiconductor Corp
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 80mA, 8A
• 當前-集電極截止（最大值）: 50µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 3A, 4V
• 功率-最大: 80W
• 頻率-過渡: 4MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220

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TIP106

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP DARL 80V 8A TO-220AB

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 80mA, 8A
• 當前-集電極截止（最大值）: 50µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 3A, 4V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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TIP106G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP DARL 80V 8A TO-220AB

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 80mA, 8A
• 當前-集電極截止（最大值）: 50µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 3A, 4V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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TIP107

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP DARL 100V 8A TO220AB

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 80mA, 8A
• 當前-集電極截止（最大值）: 50µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 3A, 4V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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TIP107

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP DARL 100V 8A TO-220

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 80mA, 8A
• 當前-集電極截止（最大值）: 50µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 3A, 4V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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TIP107G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP DARL 100V 8A TO220AB

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 80mA, 8A
• 當前-集電極截止（最大值）: 50µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 3A, 4V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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TIP107TU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP DARL 100V 8A TO-220

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 80mA, 8A
• 當前-集電極截止（最大值）: 50µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 3A, 4V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220-3

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TIP110

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 60V 2A TO-220AB

• 制造商: Central Semiconductor Corp
• 系列: *
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 8mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 2mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 1A, 4V
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: 25MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220

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TIP110

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 60V 2A TO220AB

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 8mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 2mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 1A, 4V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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TIP110

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 60V 2A TO-220

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 8mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 2mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 1A, 4V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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TIP110-BP

Micro Commercial Co

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 60V 2A TO-220AB

• 制造商: Micro Commercial Co
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 8mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 2mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 1A, 4V
• 功率-最大: 50W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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TIP110G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 60V 2A TO220AB

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 8mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 2mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 1A, 4V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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TIP110TU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 60V 2A TO-220

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 8mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 2mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 1A, 4V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220-3

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TIP111

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 80V 2A TO-220AB

• 制造商: Central Semiconductor Corp
• 系列: *
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 8mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 2mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 1A, 4V
• 功率-最大: 50W
• 頻率-過渡: 25MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220

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TIP111

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 80V 2A TO-220AB

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 8mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 2mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 1A, 4V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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TIP111-BP

Micro Commercial Co

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 80V 2A TO-220AB

• 制造商: Micro Commercial Co
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 8mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 2mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 1A, 4V
• 功率-最大: 50W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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TIP111G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 80V 2A TO-220AB

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 8mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 2mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 1A, 4V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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TIP111TU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 80V 2A TO-220

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 8mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 2mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 1A, 4V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220-3

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TIP112

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 100V TO220

• 制造商: Central Semiconductor Corp
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 8mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1mA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 1A, 4V
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: 25MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220

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TIP112

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 100V 2A TO-220

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 8mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 2mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 1A, 4V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220-3

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TIP112

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 100V 2A TO-220

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 8mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 2mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 1A, 4V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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TIP112-BP

Micro Commercial Co

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 100V 2A TO-220AB

• 制造商: Micro Commercial Co
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 8mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 2mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 1A, 4V
• 功率-最大: 50W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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TIP112G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 100V 2A TO220AB

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 8mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 2mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 1A, 4V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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TIP112 TIN/LEAD

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 100V TO220

• 制造商: Central Semiconductor Corp
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 8mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 1A, 4V
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: 25MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220

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TIP112TU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 100V 2A TO-220

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 8mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 2mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 1A, 4V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220-3

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TIP115

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP DARL 60V 2A TO-220AB

• 制造商: Central Semiconductor Corp
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 8mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 2mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 1A, 4V
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: 25MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220

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