晶體管

型號	描述	庫存
EMD5T2R Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47kOhms, 4.7kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms, 10kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 68 @ 5mA, 5V / 30 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: EMT6	庫存5,796
EMD62T2R Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: EMT6	庫存4,698
EMD6FHAT2R Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR 制造商: Rohm Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO) 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: EMT6	庫存3,168
EMD6T2R Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: - 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: EMT6	庫存5,238
EMD9FHAT2R Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR 制造商: Rohm Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 電阻-基本（R1）: 10kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: - 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: EMT6	庫存8,784
EMD9T2R Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 10kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: EMT6	庫存6,084
EMF17T2R Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W EMT6 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 150mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2kOhms 電阻-發射極基（R2）: 2.2kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 20mA, 5V / 180 @ 1mA, 6V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 250MHz, 140MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: EMT6	庫存3,580
EMF18XV6T5G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT563 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 60V 電阻-基本（R1）: 47kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 1mA, 6V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 140MHz 功率-最大: 500mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: SOT-563	庫存2,646
EMF21-7 Diodes Incorporated	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT563 制造商: Diodes Incorporated 系列: - 晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 12V 電阻-基本（R1）: 10kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 250MHz, 280MHz 功率-最大: 300mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: SOT-563	庫存3,186
EMF21T2R Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W EMT6 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 12V 電阻-基本（R1）: 10kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 250MHz, 260MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: EMT6	庫存5,400
EMF22T2R Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 12V 電阻-基本（R1）: 10kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 250MHz, 320MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: EMT6	庫存4,680
EMF24T2R Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 150mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 10kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V / 180 @ 1mA, 6V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 400mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 250MHz, 180MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: EMT6	庫存7,614
EMF5T2R Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W EMT6 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 12V 電阻-基本（R1）: 47kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 250MHz, 260MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: EMT6	庫存70,140
EMF5XV6T5 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.5W SOT56 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 12V 電阻-基本（R1）: 47kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V / 270 @ 10mA, 2V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 500mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: SOT-563	庫存3,726
EMF5XV6T5G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT563 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 12V 電阻-基本（R1）: 47kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V / 270 @ 10mA, 2V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 500mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: SOT-563	庫存7,506
EMF8T2R Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 12V 電阻-基本（R1）: 47kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 250MHz, 320MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: EMT6	庫存4,806
EMG11T2R Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead 供應商設備包裝: EMT5	庫存66,858
EMG1T2R Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 22kOhms 電阻-發射極基（R2）: 22kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 56 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead 供應商設備包裝: EMT5	庫存3,454
EMG2DXV5T1 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.23W SOT553 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 230mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-553 供應商設備包裝: SOT-553	庫存8,118
EMG2DXV5T1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.23W SOT553 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 230mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-553 供應商設備包裝: SOT-553	庫存3,294
EMG2DXV5T5 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.23W SOT553 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 230mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-553 供應商設備包裝: SOT-553	庫存6,102
EMG2DXV5T5G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.23W SOT553 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 230mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-553 供應商設備包裝: SOT-553	庫存3,330
EMG2T2R Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead 供應商設備包裝: EMT5	庫存5,544
EMG3T2R Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT3 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO) 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-75, SOT-416 供應商設備包裝: EMT3	庫存7,398
EMG4T2R Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 10kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: - 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead 供應商設備包裝: EMT5	庫存5,922
EMG5T2R Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 10kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead 供應商設備包裝: EMT5	庫存83,772
EMG6T2R Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO) 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead 供應商設備包裝: EMT5	庫存4,824
EMG8T2R Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead 供應商設備包裝: EMT5	庫存160,392
EMG9T2R Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 10kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead 供應商設備包裝: EMT5	庫存2,844
EMH10FHAT2R Rohm Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR 制造商: Rohm Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 電阻-基本（R1）: 2.2kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: - 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: EMT6	庫存82,584

EMD5T2R

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47kOhms, 4.7kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms, 10kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 68 @ 5mA, 5V / 30 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: EMT6

庫存5,796

EMD62T2R

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: EMT6

庫存4,698

EMD6FHAT2R

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR

制造商: Rohm Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101
晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO)
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: EMT6

庫存3,168

EMD6T2R

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: -
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: EMT6

庫存5,238

EMD9FHAT2R

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR

制造商: Rohm Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101
晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
電阻-基本（R1）: 10kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 68 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: -
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: EMT6

庫存8,784

EMD9T2R

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 10kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 68 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: EMT6

庫存6,084

EMF17T2R

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W EMT6

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 150mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2kOhms
電阻-發射極基（R2）: 2.2kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 20mA, 5V / 180 @ 1mA, 6V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 250MHz, 140MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: EMT6

庫存3,580

EMF18XV6T5G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT563

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 60V
電阻-基本（R1）: 47kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 1mA, 6V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 140MHz
功率-最大: 500mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: SOT-563

庫存2,646

EMF21-7

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT563

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 12V
電阻-基本（R1）: 10kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 250MHz, 280MHz
功率-最大: 300mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: SOT-563

庫存3,186

EMF21T2R

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W EMT6

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 12V
電阻-基本（R1）: 10kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 250MHz, 260MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: EMT6

庫存5,400

EMF22T2R

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 12V
電阻-基本（R1）: 10kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 250MHz, 320MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: EMT6

庫存4,680

EMF24T2R

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 150mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 10kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V / 180 @ 1mA, 6V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 400mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 250MHz, 180MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: EMT6

庫存7,614

EMF5T2R

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W EMT6

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 12V
電阻-基本（R1）: 47kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 250MHz, 260MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: EMT6

庫存70,140

EMF5XV6T5

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.5W SOT56

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 12V
電阻-基本（R1）: 47kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V / 270 @ 10mA, 2V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 500mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: SOT-563

庫存3,726

EMF5XV6T5G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT563

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 12V
電阻-基本（R1）: 47kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V / 270 @ 10mA, 2V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 500mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: SOT-563

庫存7,506

EMF8T2R

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 500mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V, 12V
電阻-基本（R1）: 47kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 250MHz, 320MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: EMT6

庫存4,806

EMG11T2R

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
供應商設備包裝: EMT5

庫存66,858

EMG1T2R

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 22kOhms
電阻-發射極基（R2）: 22kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 56 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
供應商設備包裝: EMT5

庫存3,454

EMG2DXV5T1

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.23W SOT553

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 230mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-553
供應商設備包裝: SOT-553

庫存8,118

EMG2DXV5T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.23W SOT553

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 230mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-553
供應商設備包裝: SOT-553

庫存3,294

EMG2DXV5T5

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.23W SOT553

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 230mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-553
供應商設備包裝: SOT-553

庫存6,102

EMG2DXV5T5G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.23W SOT553

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 230mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-553
供應商設備包裝: SOT-553

庫存3,330

EMG2T2R

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 68 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
供應商設備包裝: EMT5

庫存5,544

EMG3T2R

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT3

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO)
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-75, SOT-416
供應商設備包裝: EMT3

庫存7,398

EMG4T2R

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 10kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: -
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
供應商設備包裝: EMT5

庫存5,922

EMG5T2R

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 10kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 68 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
供應商設備包裝: EMT5

庫存83,772

EMG6T2R

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO)
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
供應商設備包裝: EMT5

庫存4,824

EMG8T2R

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
供應商設備包裝: EMT5

庫存160,392

EMG9T2R

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 10kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
供應商設備包裝: EMT5

庫存2,844

EMH10FHAT2R

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR

制造商: Rohm Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101
晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
電阻-基本（R1）: 2.2kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: -
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: EMT6

庫存82,584

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