晶體管

記錄 64,903

頁面 904/2164

型號	描述	庫存
MRF5S19060MBR1 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 1.99GHZ TO-272-4 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.93GHz ~ 1.99GHz 增益: 14dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 750mA 功率-輸出: 12W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: TO-272BB 供應商設備包裝: TO-272 WB-4	庫存5,166
MRF5S19060MR1 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 1.99GHZ TO-270-4 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.93GHz ~ 1.99GHz 增益: 14dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 750mA 功率-輸出: 12W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: TO-270AB 供應商設備包裝: TO-270 WB-4	庫存7,686
MRF5S19060NBR1 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 1.99GHZ TO-272-4 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.99GHz 增益: 14dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 750mA 功率-輸出: 12W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: TO-272BB 供應商設備包裝: TO-272 WB-4	庫存8,442
MRF5S19060NR1 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 1.99GHZ TO-270-4 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.99GHz 增益: 14dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 750mA 功率-輸出: 12W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: TO-270AB 供應商設備包裝: TO-270 WB-4	庫存2,358
MRF5S19090HR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 1.99GHZ NI-780 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.93GHz ~ 1.99GHz 增益: 14.5dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 850mA 功率-輸出: 18W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: NI-780 供應商設備包裝: NI-780	庫存7,506
MRF5S19090HR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 1.99GHZ NI-780 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.93GHz ~ 1.99GHz 增益: 14.5dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 850mA 功率-輸出: 18W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: NI-780 供應商設備包裝: NI-780	庫存3,924
MRF5S19090HSR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 1.99GHZ NI-780S 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.93GHz ~ 1.99GHz 增益: 14.5dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 850mA 功率-輸出: 18W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: NI-780S 供應商設備包裝: NI-780S	庫存2,556
MRF5S19090HSR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 1.99GHZ NI-780S 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.93GHz ~ 1.99GHz 增益: 14.5dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 850mA 功率-輸出: 18W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: NI-780S 供應商設備包裝: NI-780S	庫存7,416
MRF5S19100HR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 1.99GHZ NI-780 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.93GHz ~ 1.99GHz 增益: 13.9dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1A 功率-輸出: 22W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: NI-780 供應商設備包裝: NI-780	庫存7,470
MRF5S19100HR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 1.99GHZ NI-780 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.93GHz ~ 1.99GHz 增益: 13.9dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1A 功率-輸出: 22W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: NI-780 供應商設備包裝: NI-780	庫存4,824
MRF5S19100HSR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 1.99GHZ NI-780S 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.93GHz ~ 1.99GHz 增益: 13.9dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1A 功率-輸出: 22W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: NI-780S 供應商設備包裝: NI-780S	庫存3,042
MRF5S19100HSR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 1.99GHZ NI-780S 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.93GHz ~ 1.99GHz 增益: 13.9dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1A 功率-輸出: 22W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: NI-780S 供應商設備包裝: NI-780S	庫存3,744
MRF5S19130HR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 1.99GHZ NI-880 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.99GHz 增益: 13dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.2A 功率-輸出: 26W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: NI-880 供應商設備包裝: NI-880	庫存3,132
MRF5S19130HR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 1.99GHZ NI-880 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.93GHz ~ 1.99GHz 增益: 13dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.2A 功率-輸出: 26W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: NI-880 供應商設備包裝: NI-880	庫存3,780
MRF5S19130HSR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 1.99GHZ NI-880S 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.99GHz 增益: 13dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.2A 功率-輸出: 26W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: NI-880S 供應商設備包裝: NI-880S	庫存8,046
MRF5S19130HSR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 1.99GHZ NI-880S 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.93GHz ~ 1.99GHz 增益: 13dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.2A 功率-輸出: 26W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: NI-880S 供應商設備包裝: NI-880S	庫存5,346
MRF5S19150HR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 1.99GHZ NI-880 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.99GHz 增益: 14dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.4A 功率-輸出: 32W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: NI-880 供應商設備包裝: NI-880	庫存2,970
MRF5S19150HR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 1.99GHZ NI-880 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.93GHz ~ 1.99GHz 增益: 14dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.4A 功率-輸出: 32W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: NI-880 供應商設備包裝: NI-880	庫存5,130
MRF5S19150HSR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 1.99GHZ NI-880S 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.99GHz 增益: 14dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.4A 功率-輸出: 32W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: NI-880S 供應商設備包裝: NI-880S	庫存2,016
MRF5S19150HSR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 1.99GHZ NI-880S 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.93GHz ~ 1.99GHz 增益: 14dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.4A 功率-輸出: 32W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: NI-880S 供應商設備包裝: NI-880S	庫存2,934
MRF5S21045MBR1 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 68V 2.17GHZ TO272-4 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 2.11GHz ~ 2.17GHz 增益: 14.5dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 500mA 功率-輸出: 10W 電壓-額定: 68V 包裝/箱: TO-272-4 供應商設備包裝: TO-272 WB-4	庫存7,902
MRF5S21045MR1 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 68V 2.17GHZ TO270-4 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 2.11GHz ~ 2.17GHz 增益: 14.5dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 500mA 功率-輸出: 10W 電壓-額定: 68V 包裝/箱: TO-270-4 供應商設備包裝: TO-270 WB-4	庫存5,526
MRF5S21045NBR1 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 68V 2.12GHZ TO272-4 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 2.12GHz 增益: 14.5dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 500mA 功率-輸出: 10W 電壓-額定: 68V 包裝/箱: TO-272BB 供應商設備包裝: TO-272 WB-4	庫存2,196
MRF5S21045NR1 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 68V 2.12GHZ TO270-4 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 2.12GHz 增益: 14.5dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 500mA 功率-輸出: 10W 電壓-額定: 68V 包裝/箱: TO-270AB 供應商設備包裝: TO-270 WB-4	庫存5,220
MRF5S21090HR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 2.11GHZ NI-780 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 2.11GHz 增益: 14.5dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 850mA 功率-輸出: 19W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: SOT-957A 供應商設備包裝: NI-780H-2L	庫存7,218
MRF5S21090HR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 2.11GHZ NI-780 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 2.11GHz 增益: 14.5dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 850mA 功率-輸出: 19W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: SOT-957A 供應商設備包裝: NI-780H-2L	庫存8,154
MRF5S21090HSR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 2.11GHZ NI-780S 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 2.11GHz 增益: 14.5dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 850mA 功率-輸出: 19W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: NI-780S 供應商設備包裝: NI-780S	庫存6,264
MRF5S21090HSR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 2.11GHZ NI-780S 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 2.11GHz 增益: 14.5dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 850mA 功率-輸出: 19W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: NI-780S 供應商設備包裝: NI-780S	庫存8,172
MRF5S21100HR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 2.17GHZ NI-780 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 2.16GHz ~ 2.17GHz 增益: 13.5dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.05A 功率-輸出: 23W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: SOT-957A 供應商設備包裝: NI-780H-2L	庫存7,056
MRF5S21100HR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 65V 2.17GHZ NI-780 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 2.16GHz ~ 2.17GHz 增益: 13.5dB 電壓-測試: 28V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 1.05A 功率-輸出: 23W 電壓-額定: 65V 包裝/箱: SOT-957A 供應商設備包裝: NI-780H-2L	庫存7,236

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