晶體管

記錄 64,903

頁面 910/2164

型號	描述	庫存
MRF6V10010NR4 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 100V 1.09GHZ PLD-1.5 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.09GHz 增益: 25dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 10mA 功率-輸出: 10W 電壓-額定: 100V 包裝/箱: PLD-1.5 供應商設備包裝: PLD-1.5	庫存7,794
MRF6V10250HSR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 100V 1.09GHZ NI780S 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.09GHz 增益: 21dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 250mA 功率-輸出: 250W 電壓-額定: 100V 包裝/箱: NI-780S 供應商設備包裝: NI-780S	庫存4,392
MRF6V10250HSR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 100V 1.09GHZ NI780S 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.09GHz 增益: 21dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 250mA 功率-輸出: 250W 電壓-額定: 100V 包裝/箱: NI-780S 供應商設備包裝: NI-780S	庫存3,580
MRF6V12250HR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 100V 1.03GHZ NI-780 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.03GHz 增益: 20.3dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 100mA 功率-輸出: 275W 電壓-額定: 100V 包裝/箱: SOT-957A 供應商設備包裝: NI-780H-2L	庫存2,448
MRF6V12250HR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 100V 1.03GHZ NI-780 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.03GHz 增益: 20.3dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 100mA 功率-輸出: 275W 電壓-額定: 100V 包裝/箱: SOT-957A 供應商設備包裝: NI-780H-2L	庫存4,518
MRF6V12250HSR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 100V 1.03GHZ NI-780S 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.03GHz 增益: 20.3dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 100mA 功率-輸出: 275W 電壓-額定: 100V 包裝/箱: NI-780S 供應商設備包裝: NI-780S	庫存6,390
MRF6V12250HSR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 100V 1.03GHZ NI-780S 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.03GHz 增益: 20.3dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 100mA 功率-輸出: 275W 電壓-額定: 100V 包裝/箱: NI-780S 供應商設備包裝: NI-780S	庫存4,788
MRF6V12500GSR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF PULSED LATERAL N-CHANNEL RF POWE 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 960MHz ~ 1.215GHz 增益: 19.7dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: 200µA 噪聲系數: - 當前-測試: 200mA 功率-輸出: - 電壓-額定: 110V 包裝/箱: NI-780GS-2L 供應商設備包裝: NI-780GS-2L	庫存7,758
MRF6V12500HR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 110V 1.03GHZ NI-780H 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.03GHz 增益: 19.7dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 200mA 功率-輸出: 500W 電壓-額定: 110V 包裝/箱: SOT-957A 供應商設備包裝: NI-780H-2L	庫存5,670
MRF6V12500HR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 110V 1.03GHZ NI-780H 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.03GHz 增益: 19.7dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 200mA 功率-輸出: 500W 電壓-額定: 110V 包裝/箱: SOT-957A 供應商設備包裝: NI-780H-2L	庫存5,526
MRF6V12500HSR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 110V 1.03GHZ NI780HS 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.03GHz 增益: 19.7dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 200mA 功率-輸出: 500W 電壓-額定: 110V 包裝/箱: NI-780S 供應商設備包裝: NI-780S	庫存4,770
MRF6V12500HSR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 110V 1.03GHZ NI-1230H 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.03GHz 增益: 19.7dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 200mA 功率-輸出: 500W 電壓-額定: 110V 包裝/箱: NI-780S 供應商設備包裝: NI-780S	庫存2,286
MRF6V13250HR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 120V 1.3GHZ NI-780 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.3GHz 增益: 22.7dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 100mA 功率-輸出: 250W 電壓-額定: 120V 包裝/箱: SOT-957A 供應商設備包裝: NI-780H-2L	庫存4,986
MRF6V13250HR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 120V 1.3GHZ NI780 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.3GHz 增益: 22.7dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 100mA 功率-輸出: 250W 電壓-額定: 120V 包裝/箱: SOT-957A 供應商設備包裝: NI-780H-2L	庫存3,906
MRF6V13250HSR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 120V 1.3GHZ NI780S 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.3GHz 增益: 22.7dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 100mA 功率-輸出: 250W 電壓-額定: 120V 包裝/箱: NI-780S 供應商設備包裝: NI-780S	庫存3,490
MRF6V13250HSR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 120V 1.3GHZ NI780S 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.3GHz 增益: 22.7dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 100mA 功率-輸出: 250W 電壓-額定: 120V 包裝/箱: NI-780S 供應商設備包裝: NI-780S	庫存5,310
MRF6V14300HR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 100V 1.4GHZ NI780 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.4GHz 增益: 18dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 150mA 功率-輸出: 330W 電壓-額定: 100V 包裝/箱: SOT-957A 供應商設備包裝: NI-780H-2L	庫存6,822
MRF6V14300HR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 100V 1.4GHZ NI780 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.4GHz 增益: 18dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 150mA 功率-輸出: 330W 電壓-額定: 100V 包裝/箱: SOT-957A 供應商設備包裝: NI-780H-2L	庫存6,606
MRF6V14300HSR3 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 100V 1.4GHZ NI780S 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.4GHz 增益: 18dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 150mA 功率-輸出: 330W 電壓-額定: 100V 包裝/箱: NI-780S 供應商設備包裝: NI-780S	庫存7,542
MRF6V14300HSR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 100V 1.4GHZ NI780S 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 1.4GHz 增益: 18dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 150mA 功率-輸出: 330W 電壓-額定: 100V 包裝/箱: NI-780S 供應商設備包裝: NI-780S	庫存7,758
MRF6V2010GNR1 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 110V 220MHZ TO-270G-2 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 220MHz 增益: 23.9dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 30mA 功率-輸出: 10W 電壓-額定: 110V 包裝/箱: TO-270BA 供應商設備包裝: TO-270G-2	庫存8,208
MRF6V2010GNR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 110V 220MHZ TO-270G-2 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 220MHz 增益: 23.9dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 30mA 功率-輸出: 10W 電壓-額定: 110V 包裝/箱: TO-270BA 供應商設備包裝: TO-270G-2	庫存5,616
MRF6V2010NBR1 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 110V 220MHZ TO272-2 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 220MHz 增益: 23.9dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 30mA 功率-輸出: 10W 電壓-額定: 110V 包裝/箱: TO-272BC 供應商設備包裝: TO-272-2	庫存5,202
MRF6V2010NBR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 110V 220MHZ TO-272-2 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 220MHz 增益: 23.9dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 30mA 功率-輸出: 10W 電壓-額定: 110V 包裝/箱: TO-272BC 供應商設備包裝: TO-272-2	庫存4,302
MRF6V2010NR1 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 110V 220MHZ TO270-2 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 220MHz 增益: 23.9dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 30mA 功率-輸出: 10W 電壓-額定: 110V 包裝/箱: TO-270AA 供應商設備包裝: TO-270-2	庫存4,252
MRF6V2150NBR1 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 110V 220MHZ TO-272-4 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 220MHz 增益: 25dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 450mA 功率-輸出: 150W 電壓-額定: 110V 包裝/箱: TO-272BB 供應商設備包裝: TO-272 WB-4	庫存19,116
MRF6V2150NBR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 110V 220MHZ TO272-4 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 220MHz 增益: 25dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 450mA 功率-輸出: 150W 電壓-額定: 110V 包裝/箱: TO-272BB 供應商設備包裝: TO-272 WB-4	庫存5,526
MRF6V2150NR1 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 110V 220MHZ TO-270-4 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 220MHz 增益: 25dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 450mA 功率-輸出: 150W 電壓-額定: 110V 包裝/箱: TO-270AB 供應商設備包裝: TO-270 WB-4	庫存17,328
MRF6V2300NBR1 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 110V 220MHZ TO-272-4 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 220MHz 增益: 25.5dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 900mA 功率-輸出: 300W 電壓-額定: 110V 包裝/箱: TO-272BB 供應商設備包裝: TO-272 WB-4	庫存5,976
MRF6V2300NBR5 NXP	晶體管-FET，MOSFET-RF FET RF 110V 220MHZ TO-272-4 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: LDMOS 頻率: 220MHz 增益: 25.5dB 電壓-測試: 50V 額定電流（安培）: - 噪聲系數: - 當前-測試: 900mA 功率-輸出: 300W 電壓-額定: 110V 包裝/箱: TO-272BB 供應商設備包裝: TO-272 WB-4	庫存7,218

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