APTGF150DH120G數據表
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制造商 Microsemi Corporation 系列 - IGBT類型 NPT 配置 Asymmetrical Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值） 200A 功率-最大 961W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic 3.7V @ 15V, 150A 當前-集電極截止（最大值） 350µA 輸入電容（Cies）@ Vce 10.2nF @ 25V 輸入 Standard NTC熱敏電阻 No 工作溫度 - 安裝類型 Chassis Mount 包裝/箱 SP6 供應商設備包裝 SP6 |
