SI1912EDH-T1-E3數據表
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制造商 Vishay Siliconix 系列 TrenchFET® FET類型 2 N-Channel (Dual) FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss） 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 1.13A Rds On（Max）@ Id，Vgs 280mOhm @ 1.13A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 450mV @ 100µA (Min) 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 1nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds - 功率-最大 570mW 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝 SC-70-6 (SOT-363) |
