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2ST5949

2ST5949

僅供參考

型號 2ST5949
PNEDA編號 2ST5949
描述 TRANS NPN 250V 17A TO-3
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 7,992
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2ST5949資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2ST5949
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
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2ST5949規格

制造商STMicroelectronics
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)17A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)250V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic3V @ 800mA, 8A
當前-集電極截止(最大值)5µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce80 @ 1A, 5V
功率-最大250W
頻率-過渡25MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱TO-204AA, TO-3
供應商設備包裝TO-3

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 400mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 500mA, 5V

功率-最大

32W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

供應商設備包裝

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

200V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 1A, 10A

當前-集電極截止(最大值)

100µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 5A, 4V

功率-最大

150W

頻率-過渡

20MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

3-ESIP

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當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 2A, 2V

功率-最大

750mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

4A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

17.5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

245mV @ 20mA, 4A

當前-集電極截止(最大值)

10nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 1A, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

-55°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 500µA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

1μA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20000 @ 100mA, 5V

功率-最大

225mW

頻率-過渡

-

工作溫度

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