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70V658S12DR

70V658S12DR

僅供參考

型號 70V658S12DR
PNEDA編號 70V658S12DR
描述 IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 4,374
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

70V658S12DR資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號70V658S12DR
類別半導體內存IC內存

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70V658S12DR規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小2Mb (64K x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁12ns
訪問時間12ns
電壓-供電3.15V ~ 3.45V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱208-BFQFP
供應商設備包裝208-PQFP (28x28)

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內存類型

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內存格式

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技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

1.65V ~ 2.2V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

FLASH - NOR

內存大小

8Mb (1M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

33MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

250ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-20°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

40-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

供應商設備包裝

40-TSOP

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

EPROM - OTP

內存大小

512Kb (64K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

90ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)

供應商設備包裝

28-TSOP

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

2Mb (256K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

45ns

訪問時間

45ns

電壓-供電

2.2V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

供應商設備包裝

32-TSOP I

IS43R32800D-5BI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

SDRAM - DDR

內存大小

256Mb (8M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

700ps

電壓-供電

2.3V ~ 2.7V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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