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APTGT50SK170D1G

APTGT50SK170D1G

僅供參考

型號 APTGT50SK170D1G
PNEDA編號 APTGT50SK170D1G
描述 IGBT 1700V 70A 310W D1
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 4,428
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTGT50SK170D1G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTGT50SK170D1G
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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APTGT50SK170D1G規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
配置Single
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1700V
當前-集電極(Ic)(最大值)70A
功率-最大310W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.4V @ 15V, 50A
當前-集電極截止(最大值)6mA
輸入電容(Cies)@ Vce4.4nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱D1
供應商設備包裝D1

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制造商

Infineon Technologies

系列

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IGBT類型

-

配置

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20A

功率-最大

145W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 15A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

875pF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

APTGT100TL170G

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

IGBT類型

Trench Field Stop

配置

Three Level Inverter

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1700V

當前-集電極(Ic)(最大值)

150A

功率-最大

560W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

350µA

輸入電容(Cies)@ Vce

9nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

SP6

CM150DX-24S

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制造商

Powerex Inc.

系列

IGBTMOD™

IGBT類型

-

配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

150A

功率-最大

1150W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.25V @ 15V, 150A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

15nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

-

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

APTGT100TA120TPG

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

IGBT類型

Trench Field Stop

配置

Three Phase

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

140A

功率-最大

480W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

7.2nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

SP6-P

APTGT75DH120T3G

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

IGBT類型

Trench Field Stop

配置

Asymmetrical Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

110A

功率-最大

357W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 75A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

5.34nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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