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AS6C1616A-55BINTR

AS6C1616A-55BINTR

僅供參考

型號 AS6C1616A-55BINTR
PNEDA編號 AS6C1616A-55BINTR
描述 IC SRAM 16M PARALLEL 48TFBGA
制造商 Alliance Memory, Inc.
單價 請求報價
庫存 5,148
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AS6C1616A-55BINTR資源

品牌 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AS6C1616A-55BINTR
類別半導體內存IC內存
數據表
AS6C1616A-55BINTR, AS6C1616A-55BINTR數據表 (總頁數: 12, 大小: 2,141.75 KB)
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AS6C1616A-55BINTR規格

制造商Alliance Memory, Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小16Mb (1M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁55ns
訪問時間55ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱48-VFBGA
供應商設備包裝48-FPBGA (10x8)

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內存接口

1-Wire®

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

2µs

電壓-供電

-

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-LSOJ (0.148", 3.76mm Width)

供應商設備包裝

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

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內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Micron Technology Inc.

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內存大小

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內存接口

-

時鐘頻率

1.866GHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

0.6V, 1.1V

工作溫度

-30°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

-

供應商設備包裝

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內存接口

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時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

100µs, 2.5ms

訪問時間

-

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1.65V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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