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AT45DQ161-MHD-T

AT45DQ161-MHD-T

僅供參考

型號 AT45DQ161-MHD-T
PNEDA編號 AT45DQ161-MHD-T
描述 IC FLASH 16M SPI 100MHZ 8UDFN
制造商 Adesto Technologies
單價 請求報價
庫存 4,104
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 4 - 十二月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AT45DQ161-MHD-T資源

品牌 Adesto Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AT45DQ161-MHD-T
類別半導體內存IC內存
數據表
AT45DQ161-MHD-T, AT45DQ161-MHD-T數據表 (總頁數: 82, 大小: 2,714.27 KB)
PDFAT45DQ161-SSHD-T數據表 封面
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AT45DQ161-MHD-T規格

制造商Adesto Technologies
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH
內存大小16Mb (528 Bytes x 4096 pages)
內存接口SPI - Quad I/O
時鐘頻率85MHz
寫周期-字,頁8µs, 6ms
訪問時間-
電壓-供電2.5V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-UDFN Exposed Pad
供應商設備包裝8-UDFN (5x6)

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

4Gb (4G x 1)

內存接口

SPI

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

63-VFBGA

供應商設備包裝

63-VFBGA (10.5x13)

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

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內存大小

512Mb (32M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

700ps

電壓-供電

2.5V ~ 2.7V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

66-TSOP

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制造商

Adesto Technologies

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

CBRAM®

技術

CBRAM

內存大小

64kb (32B Page Size)

內存接口

SPI

時鐘頻率

20MHz

寫周期-字,頁

100µs, 2.5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.65V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM

內存大小

256Mb (32M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5.4ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

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內存類型

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

2MHz

寫周期-字,頁

6ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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