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CDBDSC51200-G

CDBDSC51200-G

僅供參考

型號 CDBDSC51200-G
PNEDA編號 CDBDSC51200-G
描述 DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
制造商 Comchip Technology
單價 請求報價
庫存 9,996
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CDBDSC51200-G資源

品牌 Comchip Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CDBDSC51200-G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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CDBDSC51200-G規格

制造商Comchip Technology
系列-
二極管類型Silicon Carbide Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1200V
電流-平均整流(Io)18A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.7V @ 5A
速度No Recovery Time > 500mA (Io)
反向恢復時間(trr)0ns
當前-反向泄漏@ Vr100µA @ 1200V
電容@ Vr,F475pF @ 0V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝D-PAK (TO-252)
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.75V @ 266.9A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

500ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-203AB

工作溫度-結點

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

50A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.9V @ 50A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

27µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 200V

電容@ Vr,F

9pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

4µs

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 400V

電容@ Vr,F

20pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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包裝/箱

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