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CY7C1041G-10VXI

CY7C1041G-10VXI

僅供參考

型號 CY7C1041G-10VXI
PNEDA編號 CY7C1041G-10VXI
描述 IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,780
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CY7C1041G-10VXI資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CY7C1041G-10VXI
類別半導體內存IC內存

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CY7C1041G-10VXI規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小4Mb (256K x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁10ns
訪問時間10ns
電壓-供電4.5V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝44-SOJ

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內存接口

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寫周期-字,頁

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訪問時間

90ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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內存大小

4Gb (256M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

800MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

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安裝類型

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

-

訪問時間

5ns

電壓-供電

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工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

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工作溫度

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安裝類型

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時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

500ns

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工作溫度

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