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DGTD65T50S1PT

DGTD65T50S1PT

僅供參考

型號 DGTD65T50S1PT
PNEDA編號 DGTD65T50S1PT
描述 IGBT 600V-X TO247 TUBE 0.45K
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 8,730
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DGTD65T50S1PT資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DGTD65T50S1PT
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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DGTD65T50S1PT規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
IGBT類型Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)100A
電流-集電極脈沖(Icm)200A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.4V @ 15V, 50A
功率-最大375W
開關能量770µJ (on), 550µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用287nC
25°C時的Td(開/關)58ns/328ns
測試條件400V, 50A, 7.9Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)80ns
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247

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當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

電流-集電極脈沖(Icm)

160A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.3V @ 15V, 40A

功率-最大

62.5W

開關能量

456µJ (on), 411µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

226nC

25°C時的Td(開/關)

52ns/208ns

測試條件

400V, 40A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

3000V

當前-集電極(Ic)(最大值)

34A

電流-集電極脈沖(Icm)

150A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.2V @ 15V, 20A

功率-最大

150W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

105nC

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

1.35µs

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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ON Semiconductor

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

6A

電流-集電極脈沖(Icm)

25A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.6V @ 15V, 3A

功率-最大

30W

開關能量

57µJ (on), 25µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

15nC

25°C時的Td(開/關)

15ns/60ns

測試條件

300V, 3A, 80Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

16A

電流-集電極脈沖(Icm)

30A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.8V @ 15V, 10A

功率-最大

55W

開關能量

141µJ (on), 215µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

30nC

25°C時的Td(開/關)

15ns/36ns

測試條件

300V, 10A, 20Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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測試條件

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反向恢復時間(trr)

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