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DMC1030UFDBQ-13

DMC1030UFDBQ-13

僅供參考

型號 DMC1030UFDBQ-13
PNEDA編號 DMC1030UFDBQ-13
描述 MOSFET N/P-CH 12V 5.1A UDFN2020
制造商 Diodes Incorporated
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庫存 2,844
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMC1030UFDBQ-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMC1030UFDBQ-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
DMC1030UFDBQ-13, DMC1030UFDBQ-13數據表 (總頁數: 9, 大小: 558.51 KB)
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DMC1030UFDBQ-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列Automotive, AEC-Q101
FET類型N and P-Channel Complementary
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)12V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5.1A
Rds On(Max)@ Id,Vgs34mOhm @ 4.6A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs23.1nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1003pF @ 6V
功率-最大1.36W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-UDFN Exposed Pad
供應商設備包裝U-DFN2020-6 (Type B)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.1A, 2.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

85mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11.5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.2nC @ 10V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

137mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

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11nC @ 10V

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