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DMT10H015SPS-13

DMT10H015SPS-13

僅供參考

型號 DMT10H015SPS-13
PNEDA編號 DMT10H015SPS-13
描述 MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 7,542
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMT10H015SPS-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMT10H015SPS-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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DMT10H015SPS-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)7.3A (Ta), 44A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs16mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs33.3nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1871pF @ 50V
FET功能-
功耗(最大值)1.3W (Ta), 46W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PowerDI5060-8
包裝/箱8-PowerTDFN

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60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

170mOhm @ 4.5A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 5V

Vgs(最大)

±15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

275pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

28.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

560V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

399mOhm @ 4.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 330µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

890pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

83W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A (Ta), 16A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.2mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

605pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 20W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

13A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13.2mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

755pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

24W (Tc)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

160mOhm @ 7.5A, 10V

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Vgs(最大)

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功耗(最大值)

90W (Tc)

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