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EDBA164B2PR-1D-F-R TR

EDBA164B2PR-1D-F-R TR

僅供參考

型號 EDBA164B2PR-1D-F-R TR
PNEDA編號 EDBA164B2PR-1D-F-R-TR
描述 IC DRAM 16G PARALLEL 216FBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 5,904
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

EDBA164B2PR-1D-F-R TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號EDBA164B2PR-1D-F-R TR
類別半導體內存IC內存
數據表
EDBA164B2PR-1D-F-R TR, EDBA164B2PR-1D-F-R TR數據表 (總頁數: 152, 大小: 1,983.99 KB)
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EDBA164B2PR-1D-F-R TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - Mobile LPDDR2
內存大小16Gb (256M x 64)
內存接口Parallel
時鐘頻率533MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.14V ~ 1.95V
工作溫度-30°C ~ 85°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱216-VFBGA
供應商設備包裝216-FBGA (12x12)

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

-

訪問時間

7.5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

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內存大小

4Mb (256K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

45ns

訪問時間

45ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

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SRAM - Asynchronous

內存大小

4Mb (256K x 16)

內存接口

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