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EG 1V1

EG 1V1

僅供參考

型號 EG 1V1
PNEDA編號 EG-1V1
描述 DIODE GEN PURP 400V 800MA AXIAL
制造商 Sanken
單價 請求報價
庫存 5,832
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

EG 1V1資源

品牌 Sanken
ECAD Module ECAD
制造商零件編號EG 1V1
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
EG 1V1, EG 1V1數據表 (總頁數: 5, 大小: 253.17 KB)
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EG 1V1規格

制造商Sanken
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)400V
電流-平均整流(Io)800mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.8V @ 800mA
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)100ns
當前-反向泄漏@ Vr50µA @ 400V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱Axial
供應商設備包裝-
工作溫度-結點-40°C ~ 150°C

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

3µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

8pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

-

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

30ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 100V

電容@ Vr,F

45pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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DO-214AB (SMC)

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

300V

電流-平均整流(Io)

1.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.4V @ 1.5A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 300V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AL, DO-41, Axial

供應商設備包裝

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1000V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 3A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1000V

電容@ Vr,F

-

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電流-平均整流(Io)

40A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.14V @ 40A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 1600V

電容@ Vr,F

-

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