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FQD3N30TM

FQD3N30TM

僅供參考

型號 FQD3N30TM
PNEDA編號 FQD3N30TM
描述 MOSFET N-CH 300V 2.4A DPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,740
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FQD3N30TM資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FQD3N30TM
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FQD3N30TM, FQD3N30TM數據表 (總頁數: 9, 大小: 742.3 KB)
PDFFQD3N30TM數據表 封面
FQD3N30TM數據表 頁面 2 FQD3N30TM數據表 頁面 3 FQD3N30TM數據表 頁面 4 FQD3N30TM數據表 頁面 5 FQD3N30TM數據表 頁面 6 FQD3N30TM數據表 頁面 7 FQD3N30TM數據表 頁面 8 FQD3N30TM數據表 頁面 9

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FQD3N30TM規格

制造商ON Semiconductor
系列QFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)300V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.4A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2.2Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs7nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds230pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Ta), 30W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D-Pak
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

16A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

400mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

43nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2250pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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BSP170PE6327

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.9A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

300mOhm @ 1.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

410pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.8W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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ON Semiconductor

制造商

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系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

56A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 56A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

130nC @ 20V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

200W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-220-3

包裝/箱

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

26A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

230mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

42nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2220pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

500W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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功耗(最大值)

1.4W (Ta), 6.25W (Tc)

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