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FQD7N20TM

FQD7N20TM

僅供參考

型號 FQD7N20TM
PNEDA編號 FQD7N20TM
描述 MOSFET N-CH 200V 5.3A DPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,672
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FQD7N20TM資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FQD7N20TM
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FQD7N20TM, FQD7N20TM數據表 (總頁數: 9, 大小: 802.73 KB)
PDFFQD7N20TM_F080數據表 封面
FQD7N20TM_F080數據表 頁面 2 FQD7N20TM_F080數據表 頁面 3 FQD7N20TM_F080數據表 頁面 4 FQD7N20TM_F080數據表 頁面 5 FQD7N20TM_F080數據表 頁面 6 FQD7N20TM_F080數據表 頁面 7 FQD7N20TM_F080數據表 頁面 8 FQD7N20TM_F080數據表 頁面 9

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FQD7N20TM規格

制造商ON Semiconductor
系列QFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5.3A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs690mOhm @ 2.65A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs10nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds400pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Ta), 45W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D-Pak
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

500mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

550mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

45pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

200mW (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.7A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

21mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

0.9V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.2nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

105pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

400mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Global Power Technologies Group

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

250V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

600mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.4nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

423pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

52W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

520mOhm @ 6.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

52nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1423pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

170W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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1.3A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

180mOhm @ 1.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.9nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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-

功耗(最大值)

500mW (Ta)

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