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IDT71V3558S200BQI8

IDT71V3558S200BQI8

僅供參考

型號 IDT71V3558S200BQI8
PNEDA編號 IDT71V3558S200BQI8
描述 IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 7,398
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IDT71V3558S200BQI8資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IDT71V3558S200BQI8
類別半導體內存IC內存
數據表
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IDT71V3558S200BQI8規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
內存大小4.5Mb (256K x 18)
內存接口Parallel
時鐘頻率200MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間3.2ns
電壓-供電3.135V ~ 3.465V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱165-TBGA
供應商設備包裝165-CABGA (13x15)

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

0°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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訪問時間

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電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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電壓-供電

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工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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供應商設備包裝

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制造商

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

1Kb (256 x 4)

內存接口

1-Wire®

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

2µs

電壓-供電

-

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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內存類型

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內存格式

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時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

5ms

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