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IPI80P03P4L07AKSA1

IPI80P03P4L07AKSA1

僅供參考

型號 IPI80P03P4L07AKSA1
PNEDA編號 IPI80P03P4L07AKSA1
描述 MOSFET P-CH 30V 80A TO262-3
制造商 Infineon Technologies
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庫存 5,652
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPI80P03P4L07AKSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPI80P03P4L07AKSA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IPI80P03P4L07AKSA1, IPI80P03P4L07AKSA1數據表 (總頁數: 9, 大小: 168.93 KB)
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IPI80P03P4L07AKSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)80A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs7.2mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 130µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs80nC @ 10V
Vgs(最大)+5V, -16V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds5700pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)88W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝PG-TO262-3
包裝/箱TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.6A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9Ohm @ 800mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

520pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 50W (Tc)

工作溫度

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57A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

23mOhm @ 28.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

110nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3300pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

160W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

65A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

130nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5400pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.75W (Ta), 120W (Tc)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

120A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

800nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功耗(最大值)

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