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IPW60R018CFD7XKSA1

IPW60R018CFD7XKSA1

僅供參考

型號 IPW60R018CFD7XKSA1
PNEDA編號 IPW60R018CFD7XKSA1
描述 HIGH POWER_NEW
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 2,700
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPW60R018CFD7XKSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPW60R018CFD7XKSA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IPW60R018CFD7XKSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
FET類型-
技術-
漏極至源極電壓(Vdss)-
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
FET功能-
功耗(最大值)-
工作溫度-
安裝類型-
供應商設備包裝-
包裝/箱-

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13mOhm @ 9.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

43nC @ 10V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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250V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

78nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4000pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

400W (Tc)

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200A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.3mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.8V @ 130µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

110nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7670pF @ 40V

FET功能

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功耗(最大值)

200W (Tc)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 35A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

265nC @ 10V

Vgs(最大)

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