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IRF1607

IRF1607

僅供參考

型號 IRF1607
PNEDA編號 IRF1607
描述 MOSFET N-CH 75V 142A TO-220AB
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,704
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF1607資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF1607
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRF1607, IRF1607數據表 (總頁數: 10, 大小: 238.03 KB)
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IRF1607規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)75V
電流-25°C時的連續漏極(Id)142A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs7.5mOhm @ 85A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs320nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds7750pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)380W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220AB
包裝/箱TO-220-3

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

300A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

0.76mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 230µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

287nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

22945pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

429W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

PG-HSOF-8-1

包裝/箱

8-PowerSFN

EPC2051

EPC

制造商

EPC

系列

eGaN®

FET類型

N-Channel

技術

GaNFET (Gallium Nitride)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.7A

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 3A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.1nC @ 5V

Vgs(最大)

+6V, -4V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

258pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

Die

包裝/箱

Die

PSMN2R0-30YLDX

Nexperia

制造商

Nexperia USA Inc.

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

46nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2969pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

142W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

LFPAK56, Power-SO8

包裝/箱

SC-100, SOT-669

TK10V60W,LVQ

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制造商

Toshiba Semiconductor and Storage

系列

DTMOSIV

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.7A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

380mOhm @ 4.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.7V @ 500µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

700pF @ 300V

FET功能

Super Junction

功耗(最大值)

88.3W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

17.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

105mOhm @ 8.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

950pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

20W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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