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IRFU3711

IRFU3711

僅供參考

型號 IRFU3711
PNEDA編號 IRFU3711
描述 MOSFET N-CH 20V 100A I-PAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,632
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRFU3711資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRFU3711
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRFU3711, IRFU3711數據表 (總頁數: 11, 大小: 163.85 KB)
PDFIRFR3711TRR數據表 封面
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IRFU3711規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)100A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs6.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs44nC @ 4.5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2980pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Ta), 120W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝IPAK (TO-251)
包裝/箱TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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FET類型

N-Channel

技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

13.4A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.5mOhm @ 22A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

1.9W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

300mOhm @ 6.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

420pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

42W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

555pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

3W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1926pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta)

工作溫度

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Vgs(th)(最大)@ ID

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-

功耗(最大值)

75W (Tc)

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