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IS43R86400F-6BLI

IS43R86400F-6BLI

僅供參考

型號 IS43R86400F-6BLI
PNEDA編號 IS43R86400F-6BLI
描述 IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 8,262
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS43R86400F-6BLI資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS43R86400F-6BLI
類別半導體內存IC內存
數據表
IS43R86400F-6BLI, IS43R86400F-6BLI數據表 (總頁數: 29, 大小: 848.93 KB)
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IS43R86400F-6BLI規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR
內存大小512Mb (64M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率166MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間700ps
電壓-供電2.3V ~ 2.7V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱60-TFBGA
供應商設備包裝60-TFBGA (13x8)

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內存接口

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時鐘頻率

800MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

20ns

電壓-供電

1.283V ~ 1.45V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

8ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存格式

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技術

FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2

內存大小

4Gb (128M x 32)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR2)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

533MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.8V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

162-VFBGA (10.5x8)

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內存接口

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時鐘頻率

3MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Through Hole

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制造商

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內存類型

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內存大小

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內存接口

-

時鐘頻率

1866MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

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工作溫度

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