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IS61WV51216EDBLL-8BLI-TR

IS61WV51216EDBLL-8BLI-TR

僅供參考

型號 IS61WV51216EDBLL-8BLI-TR
PNEDA編號 IS61WV51216EDBLL-8BLI-TR
描述 IC SRAM 8M PARALLEL 48TFBGA
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 6,138
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS61WV51216EDBLL-8BLI-TR資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS61WV51216EDBLL-8BLI-TR
類別半導體內存IC內存
數據表
IS61WV51216EDBLL-8BLI-TR, IS61WV51216EDBLL-8BLI-TR數據表 (總頁數: 19, 大小: 837.54 KB)
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IS61WV51216EDBLL-8BLI-TR規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小8Mb (512K x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁8ns
訪問時間8ns
電壓-供電2.4V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱48-TFBGA
供應商設備包裝48-miniBGA (6x8)

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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制造商

Micron Technology Inc.

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內存類型

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內存格式

FLASH

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256Mb (32M x 8, 16M x 16)

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制造商

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Toshiba Memory America, Inc.

系列

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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