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IXFV14N80PS

IXFV14N80PS

僅供參考

型號 IXFV14N80PS
PNEDA編號 IXFV14N80PS
描述 MOSFET N-CH 800V 14A PLUS220-S
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 8,424
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFV14N80PS資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFV14N80PS
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFV14N80PS, IXFV14N80PS數據表 (總頁數: 5, 大小: 226.56 KB)
PDFIXFV14N80PS數據表 封面
IXFV14N80PS數據表 頁面 2 IXFV14N80PS數據表 頁面 3 IXFV14N80PS數據表 頁面 4 IXFV14N80PS數據表 頁面 5

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IXFV14N80PS規格

制造商IXYS
系列HiPerFET™, PolarHT™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)800V
電流-25°C時的連續漏極(Id)14A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs720mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5.5V @ 4mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs61nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3900pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)400W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PLUS-220SMD
包裝/箱PLUS-220SMD

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20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.45A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 3.3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

850mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

860mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

ON Semiconductor

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

52V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.6A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

3V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

125mOhm @ 2.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

250pF @ 35V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.69W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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包裝/箱

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制造商

IXYS

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

200mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

70nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4150pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

460W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

56A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.9mOhm @ 56A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

130nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3150pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

98W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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FET功能

-

功耗(最大值)

740mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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