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JANTXV2N2219A

JANTXV2N2219A

僅供參考

型號 JANTXV2N2219A
PNEDA編號 JANTXV2N2219A
描述 TRANS NPN 50V 0.8A
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 3,492
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JANTXV2N2219A資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JANTXV2N2219A
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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JANTXV2N2219A規格

制造商Microsemi Corporation
系列Military, MIL-PRF-19500/251
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)800mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1V @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止(最大值)10nA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 150mA, 10V
功率-最大800mW
頻率-過渡-
工作溫度-55°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供應商設備包裝TO-205AD

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400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2V @ 1A, 5A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1500 @ 2A, 2V

功率-最大

80W

頻率-過渡

-

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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當前-集電極(Ic)(最大值)

10A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

8V @ 3.3A, 10A

當前-集電極截止(最大值)

50µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 4A, 4V

功率-最大

1.75W

頻率-過渡

2MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Through Hole

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 100mA, 1V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

200mV @ 25mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

270 @ 200mA, 2V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

400MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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NXP USA Inc.

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

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工作溫度

150°C (TJ)

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