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M24C01-WMN6TP/S

M24C01-WMN6TP/S

僅供參考

型號 M24C01-WMN6TP/S
PNEDA編號 M24C01-WMN6TP-S
描述 IC EEPROM 1K I2C 400KHZ 8SO
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 20,604
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

M24C01-WMN6TP/S資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號M24C01-WMN6TP/S
類別半導體內存IC內存
數據表
M24C01-WMN6TP/S, M24C01-WMN6TP/S數據表 (總頁數: 42, 大小: 735.96 KB)
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M24C01-WMN6TP/S規格

制造商STMicroelectronics
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式EEPROM
技術EEPROM
內存大小1Kb (128 x 8)
內存接口I²C
時鐘頻率400kHz
寫周期-字,頁5ms
訪問時間900ns
電壓-供電2.5V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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內存格式

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技術

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內存大小

4.5Mb (128K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

117MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

7.5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

85ns

電壓-供電

1.7V ~ 2V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

4Mb (512K x 8, 256K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

45ns

訪問時間

45ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

4.5Mb (128K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

183MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5.5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

288Kb (16K x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

25ns

訪問時間

25ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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