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MBRH200150R

MBRH200150R

僅供參考

型號 MBRH200150R
PNEDA編號 MBRH200150R
描述 DIODE SCHOTTKY 200V 200A D-67
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,292
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBRH200150R資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBRH200150R
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
MBRH200150R, MBRH200150R數據表 (總頁數: 3, 大小: 649.64 KB)
PDFMBRH200200R數據表 封面
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MBRH200150R規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管類型Schottky, Reverse Polarity
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)200A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果920mV @ 200A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr1mA @ 200V
電容@ Vr,F-
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱D-67
供應商設備包裝D-67
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

3µA @ 1000V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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電容@ Vr,F

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.76V @ 18.8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

30ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

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