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MRF5P20180HR6

MRF5P20180HR6

僅供參考

型號 MRF5P20180HR6
PNEDA編號 MRF5P20180HR6
描述 FET RF 65V 1.99GHZ NI-1230
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 2,340
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 2 - 三月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MRF5P20180HR6資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MRF5P20180HR6
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
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MRF5P20180HR6規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS
頻率1.93GHz ~ 1.99GHz
增益14dB
電壓-測試28V
額定電流(安培)-
噪聲系數-
當前-測試1.6A
功率-輸出38W
電壓-額定65V
包裝/箱NI-1230
供應商設備包裝NI-1230

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額定電流(安培)

10µA

噪聲系數

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當前-測試

1.95A

功率-輸出

220W

電壓-額定

65V

包裝/箱

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電壓-測試

50V

額定電流(安培)

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噪聲系數

-

當前-測試

600mA

功率-輸出

15W

電壓-額定

28V

包裝/箱

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制造商

NXP USA Inc.

系列

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晶體管類型

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頻率

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增益

14dB

電壓-測試

30V

額定電流(安培)

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噪聲系數

-

當前-測試

450mA

功率-輸出

8W

電壓-額定

65V

包裝/箱

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頻率

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電壓-測試

-

額定電流(安培)

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噪聲系數

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電壓-測試

28V

額定電流(安培)

10µA

噪聲系數

-

當前-測試

720mA

功率-輸出

290W

電壓-額定

65V

包裝/箱

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