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MRFE6VP6600GNR3

MRFE6VP6600GNR3

僅供參考

型號 MRFE6VP6600GNR3
PNEDA編號 MRFE6VP6600GNR3
描述 TRANS RF LDMOS 600W 50V
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 4,266
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MRFE6VP6600GNR3資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MRFE6VP6600GNR3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
MRFE6VP6600GNR3, MRFE6VP6600GNR3數據表 (總頁數: 22, 大小: 1,218.73 KB)
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MRFE6VP6600GNR3規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS (Dual)
頻率230MHz
增益24.7dB
電壓-測試50V
額定電流(安培)-
噪聲系數-
當前-測試100mA
功率-輸出600W
電壓-額定133V
包裝/箱OM-780G-4L
供應商設備包裝OM-780G-4L

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增益

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電壓-測試

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額定電流(安培)

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噪聲系數

-

當前-測試

2.8A

功率-輸出

112W

電壓-額定

65V

包裝/箱

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供應商設備包裝

H-36260-2

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頻率

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增益

17.7dB

電壓-測試

2.7V

額定電流(安培)

100mA

噪聲系數

0.6dB

當前-測試

10mA

功率-輸出

14.4dBm

電壓-額定

5V

包裝/箱

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增益

18dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

1A

噪聲系數

-

當前-測試

50mA

功率-輸出

4W

電壓-額定

65V

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電壓-測試

50V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

50mA

功率-輸出

25W

電壓-額定

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