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MT25QL256ABA8E12-0AAT

MT25QL256ABA8E12-0AAT

僅供參考

型號 MT25QL256ABA8E12-0AAT
PNEDA編號 MT25QL256ABA8E12-0AAT
描述 IC FLASH 256M SPI 24TPBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 3,489
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT25QL256ABA8E12-0AAT資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT25QL256ABA8E12-0AAT
類別半導體內存IC內存
數據表
MT25QL256ABA8E12-0AAT, MT25QL256ABA8E12-0AAT數據表 (總頁數: 97, 大小: 1,277.45 KB)
PDFMT25QL256ABA8ESF-0AAT數據表 封面
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MT25QL256ABA8E12-0AAT規格

制造商Micron Technology Inc.
系列Automotive, AEC-Q100
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小256Mb (32M x 8)
內存接口SPI
時鐘頻率133MHz
寫周期-字,頁8ms, 2.8ms
訪問時間-
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 105°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱24-TBGA
供應商設備包裝24-T-PBGA (6x8)

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

35ns

電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM

內存大小

256Mb (32M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

143MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5.4ns

電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

256Kb (16K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

25ns

訪問時間

25ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

16Mb (1M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ns

訪問時間

10ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

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包裝/箱

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

54-TSOP II

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