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MT29F512G08CUCABH3-12IT:A TR

MT29F512G08CUCABH3-12IT:A TR

僅供參考

型號 MT29F512G08CUCABH3-12IT:A TR
PNEDA編號 MT29F512G08CUCABH3-12IT-A-TR
描述 IC FLASH 512G PARALLEL 83MHZ
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 2,520
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT29F512G08CUCABH3-12IT:A TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT29F512G08CUCABH3-12IT:A TR
類別半導體內存IC內存

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MT29F512G08CUCABH3-12IT:A TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND
內存大小512Gb (64G x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率83MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱100-LBGA
供應商設備包裝100-LBGA (12x18)

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

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內存格式

FLASH

技術

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內存大小

64Mb (4M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

52MHz

寫周期-字,頁

60ns

訪問時間

60ns

電壓-供電

2.3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

-

內存接口

-

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

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制造商

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內存類型

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內存格式

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技術

SRAM - Synchronous, DDR II

內存大小

72Mb (2M x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

300MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

165-LBGA

供應商設備包裝

165-FBGA (13x15)

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

2Mb (256K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

50µs

訪問時間

120ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Winbond Electronics

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內存類型

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內存格式

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內存大小

2Gb (128M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

933MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

1.425V ~ 1.575V

工作溫度

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安裝類型

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