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MT41K256M16LY-107:N TR

MT41K256M16LY-107:N TR

僅供參考

型號 MT41K256M16LY-107:N TR
PNEDA編號 MT41K256M16LY-107-N-TR
描述 IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 2,214
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 2 - 三月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT41K256M16LY-107:N TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT41K256M16LY-107:N TR
類別半導體內存IC內存
數據表
MT41K256M16LY-107:N TR, MT41K256M16LY-107:N TR數據表 (總頁數: 218, 大小: 3,110.25 KB)
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MT41K256M16LY-107:N TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR3L
內存大小4Gb (256M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率933MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間20ns
電壓-供電1.283V ~ 1.45V
工作溫度0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱96-TFBGA
供應商設備包裝96-FBGA (7.5x13.5)

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

20ms

訪問時間

120ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

167MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

8.4ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

165-TBGA

供應商設備包裝

165-CABGA (13x15)

70V657S12BF8

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制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

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-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

1.125Mb (32K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

12ns

訪問時間

12ns

電壓-供電

3.15V ~ 3.45V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

208-CABGA (15x15)

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

100ns

訪問時間

100ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Socket

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供應商設備包裝

72-SIMM

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50µs, 3ms

訪問時間

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電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

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