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MTB23P06VT4

MTB23P06VT4

僅供參考

型號 MTB23P06VT4
PNEDA編號 MTB23P06VT4
描述 MOSFET P-CH 60V 23A D2PAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,094
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MTB23P06VT4資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MTB23P06VT4
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
MTB23P06VT4, MTB23P06VT4數據表 (總頁數: 12, 大小: 97.74 KB)
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MTB23P06VT4規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)23A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs120mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs50nC @ 10V
Vgs(最大)±15V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1620pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)3W (Ta), 90W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D2PAK
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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技術

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100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

51A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

26mOhm @ 51A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

86nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2400pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

180W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

D²PAK (TO-263AB)

包裝/箱

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17A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.3mOhm @ 25A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

600mV @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

70nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

1.6W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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技術

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

供應商設備包裝

-

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-

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N-Channel

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

120V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

110A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14mOhm @ 55A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

120nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6570pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

517W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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6A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.1Ohm @ 3.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23.5nC @ 10V

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