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NIF9N05CLT3

NIF9N05CLT3

僅供參考

型號 NIF9N05CLT3
PNEDA編號 NIF9N05CLT3
描述 MOSFET N-CH 52V 2.6A SOT223
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,874
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NIF9N05CLT3資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NIF9N05CLT3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
NIF9N05CLT3, NIF9N05CLT3數據表 (總頁數: 6, 大小: 106.85 KB)
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NIF9N05CLT3規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)52V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.6A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)3V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs125mOhm @ 2.6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 100µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs7nC @ 4.5V
Vgs(最大)±15V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds250pF @ 35V
FET功能-
功耗(最大值)1.69W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SOT-223
包裝/箱TO-261-4, TO-261AA

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100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

60A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

49nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2650pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

176W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

TO-263 (IXTA)

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Infineon Technologies

制造商

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

150V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

171A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.9mOhm @ 103A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

227nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10470pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

517W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-247AC

包裝/箱

TO-247-3

IPP11N03LA

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11.5mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 20µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1358pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

52W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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漏極至源極電壓(Vdss)

300V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

69A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

49mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

180nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4960pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

500W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Vgs(th)(最大)@ ID

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FET功能

-

功耗(最大值)

700mW (Ta), 1.8W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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