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NTJD4105CT4G

NTJD4105CT4G

僅供參考

型號 NTJD4105CT4G
PNEDA編號 NTJD4105CT4G
描述 MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,698
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTJD4105CT4G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTJD4105CT4G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
NTJD4105CT4G, NTJD4105CT4G數據表 (總頁數: 8, 大小: 131.5 KB)
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NTJD4105CT4G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V, 8V
電流-25°C時的連續漏極(Id)630mA, 775mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs375mOhm @ 630mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs3nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds46pF @ 20V
功率-最大270mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝SC-88/SC70-6/SOT-363

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

250mOhm @ 3.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.7nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

405pF @ 50V

功率-最大

1.25W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 7.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1333pF @ 10V

功率-最大

900mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 7.7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 935µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.3W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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PowerPAK® 1212-8 Dual

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FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

53mOhm @ 4.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

295mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.6Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.9nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

26pF @ 20V

功率-最大

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