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RBR10NS30AFHTL

RBR10NS30AFHTL

僅供參考

型號 RBR10NS30AFHTL
PNEDA編號 RBR10NS30AFHTL
描述 DIODE ARRAY SCHOTT 30V 10A LPDS
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 13,254
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RBR10NS30AFHTL資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RBR10NS30AFHTL
類別半導體二極管與整流器整流器-數組

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RBR10NS30AFHTL規格

制造商Rohm Semiconductor
系列Automotive, AEC-Q101
二極管配置1 Pair Common Cathode
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)30V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)10A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果550mV @ 5A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr100µA @ 30V
工作溫度-結點150°C (Max)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝LPDS

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

20ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

工作溫度-結點

-55°C ~ 175°C

安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 100mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

5ns

當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 25V

工作溫度-結點

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

工作溫度-結點

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

950A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

880mV @ 500A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

18µs

當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 2200V

工作溫度-結點

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Chassis Mount

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150A

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

3mA @ 150V

工作溫度-結點

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