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S29GL512P12TFIV10

S29GL512P12TFIV10

僅供參考

型號 S29GL512P12TFIV10
PNEDA編號 S29GL512P12TFIV10
描述 IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,556
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S29GL512P12TFIV10資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S29GL512P12TFIV10
類別半導體內存IC內存

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S29GL512P12TFIV10規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列GL-P
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小512Mb (32M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁120ns
訪問時間120ns
電壓-供電1.65V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
供應商設備包裝56-TSOP

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內存接口

Parallel

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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內存類型

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內存格式

FLASH

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內存大小

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內存接口

SPI - Dual I/O

時鐘頻率

100MHz

寫周期-字,頁

50µs, 4ms

訪問時間

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電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存格式

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SRAM

內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

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工作溫度

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

2Mb (256K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

75MHz

寫周期-字,頁

15ms, 3ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

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內存類型

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內存格式

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內存大小

64Gb (8G x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

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