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S2DA M2G

S2DA M2G

僅供參考

型號 S2DA M2G
PNEDA編號 S2DA-M2G
描述 DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO214AC
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 2,142
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S2DA M2G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S2DA M2G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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S2DA M2G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)1.5A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 1.5A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)1.5µs
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 200V
電容@ Vr,F30pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AC, SMA
供應商設備包裝DO-214AC (SMA)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

6A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 6A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

150pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

P600

工作溫度-結點

-50°C ~ 150°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 50V

電容@ Vr,F

10pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-219AB

供應商設備包裝

Sub SMA

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

400µA @ 30V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-219AB

供應商設備包裝

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電流-平均整流(Io)

800A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.86V @ 1930A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

15mA @ 800V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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