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SI1470DH-T1-E3

SI1470DH-T1-E3

僅供參考

型號 SI1470DH-T1-E3
PNEDA編號 SI1470DH-T1-E3
描述 MOSFET N-CH 30V 5.1A SC70-6
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 8,298
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI1470DH-T1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI1470DH-T1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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SI1470DH-T1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5.1A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs66mOhm @ 3.8A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.6V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs7.5nC @ 5V
Vgs(最大)±12V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds510pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)1.5W (Ta), 2.8W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SC-70-6 (SOT-363)
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11.5mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

74nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Ta), 105A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.9mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

72nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4300pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.9W (Ta), 176W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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制造商

Vishay Siliconix

系列

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.6A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

34mOhm @ 6.1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

600mV @ 1mA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

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功耗(最大值)

1.14W (Ta)

工作溫度

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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