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SI7236DP-T1-GE3

SI7236DP-T1-GE3

僅供參考

型號 SI7236DP-T1-GE3
PNEDA編號 SI7236DP-T1-GE3
描述 MOSFET 2N-CH 20V 60A PPAK SO-8
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 29,232
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI7236DP-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI7236DP-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SI7236DP-T1-GE3, SI7236DP-T1-GE3數據表 (總頁數: 13, 大小: 383.3 KB)
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SI7236DP-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)60A
Rds On(Max)@ Id,Vgs5.2mOhm @ 20.7A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs105nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4000pF @ 10V
功率-最大46W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱PowerPAK® SO-8 Dual
供應商設備包裝PowerPAK® SO-8 Dual

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12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 8.9A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 350µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

52nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.1W

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

75Ohm @ 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 10µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

500mW

工作溫度

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25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.35mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20.1nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

950pF @ 12.5V

功率-最大

16.7W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

80V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

17A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

23mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22.8nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1542pF @ 25V

功率-最大

53W

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

950mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

350mOhm @ 950mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 1.6µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.32nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

63pF @ 10V

功率-最大

500mW

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